玻璃核心TGV技术应用和优势
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技术概括
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关键工艺技术:友威科技提供了玻璃核心和TGV技术的关键工艺步骤,包括等离子体处理(Plasma for RDL)、表面改性、种子层溅镀(Sputter_Ti/Cu)和深反应离子刻蚀(RIE),这些设备系列构成了玻璃通孔技术的完整工艺流程,适用于高精度和高可靠性的板级封装应用。
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高深宽比(A.R. > 10):友威科技能够实现高深宽比的玻璃通孔,确保无缺陷填充。
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剥离强度(Peeling Strength > 5 N/cm):经过电镀后的铜箔具有高剥离强度,确保良好的附着力。
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低工艺温度(≤ 100℃):整个工艺过程在低温下进行,适合对温度敏感的材料。

02
SEM切片图和X-Ray结果
lSEM切片图(单面溅镀):展示了玻璃通孔的截面图,正面PVD厚度为3.25微米,中间位置的侧壁薄膜厚度为28.6纳米(单面溅镀之膜厚)。

2D X-Ray结果(双面溅镀):展示了导通状态下X-Ray成像,显示了深孔种子层的连贯性。由于面铜未去除和深孔中间膜层过薄,影像对比不够清晰,后续可以通过去除面铜或保型电镀后的X-Ray拍摄来改善。

03
剥离强度能力
附着力(BF33玻璃):实际测试的附着力大于7.87 N/cm,友威科技以独步全球的等离子设计针对各种玻璃材料进行表面微纳米处理技术,达到溅镀钛铜金属种子层并增厚铜40um拉力之拉力测试达到业界水平之上。
镀膜速率:友威科技的TGV深孔镀膜技术具有高沉积速率(5~10 nm@127 mm/sec),远高于传统镀膜技术(< 0.1 nm/sec),确保了高生产效率和深孔镀膜的高覆盖率。
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TGV玻璃基板钛铜溅镀系统UVAT-TGV Series

设备优势
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基板尺寸:510mm*515mm(t=0.2~1.1mm)(可支持600*600mm)
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低温制程 ≤ 100 ℃
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附着力 ≥ 5B Level(After sputter)
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剥离强度 > 5 N/cm(After Plating > 20um)
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不均匀性 ≤ ±5%
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A.R. >10

优势分析
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优越的深孔镀膜覆盖率 A.R. >10 -
高的电镀后铜箔拉力 > 5 N/cm -
低制程温度 ≤ 100 ℃ -
在线真空自动翻面设计,完成双面溅镀 -
快速响应的售服团队及技术支持 -
许多的板级封装产业销售实绩
艾邦建有玻璃基板与TGV技术交流群,可以加强产业链的合作,促成各企业的需求对接,同时您也可以与行业精英共同探讨玻璃基板及TGV技术的前沿动态,共享资源,交流经验,欢迎您的加入。

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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):友威科技携手代理商上海磐展邀您解锁玻璃核心TGV技术的创新与应用
