近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。
SiC功率芯片是一种基于碳化硅（SiC）材料制成的功率半导体芯片，属于第三代半导体技术，相比传统硅基功率芯片，具有高耐压、低损耗、高频高效等特性，主要应用于新能源汽车的电驱电控系统，是新能源技术升级的关键方向。
此次双方联合研发的SiC功率芯片，在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上；阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。
文字、图片：于志新
编辑：冯雨婷
初审：杨毅敏、袁敏
审核：叶虹麟
原文始发于微信公众号（把动力传递到每一处）：重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线
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