还在为寻找稳定可靠的理想二极管控制器发愁？这款国货之光，完全兼容LTC4359，无惧GJB151B电磁兼容、GJB181系列严苛供电特性实验，性能直接拉满！AABB等级A、GJB7400质量等级N1。
2月14日，北京微科能创科技有公司自主研制的理想二极管控制器芯片(WKC4359)正式面世。
WKC4359是一款理想二极管控制器，用于驱动一个外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。该器件可控制MOSFET两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬变。这款芯片还提供了一种停机模式，可将静态电流最低减小至10μA。
美国从2018年开始封锁中国芯片供应，号称要用技术卡住中国的“脖子”，让中国的科技产业停滞甚至崩溃。面对这样的压力和挑战，中国的科技企业坚定的走自研之路。微科科技早在2017年便前瞻性地布局芯片自研。历经多年的技术攻关，WKC4359芯片的成功问世，正是微科科技自立自强、坚持自主研发的有力证明，也彰显了中国在关键技术领域实现自主可控的决心。
WKC4359完全由国内正向研发设计、制造、封装、测试、量产，针对该芯片的知识产权保护申请相关专利3篇（含版图布局保护），芯片用户手册、设计手册、电路数据、版图数据、产品的封装、测试数据完整，量产程序方案完备。
当在大电流二极管应用中使用时，WKC4359可降低功耗、热耗散、电压损耗和PC板占用面积。凭借其宽输入电压范围、反向输入电压承受能力和高额定温度，WKC4359可满足电信应用的苛刻要求。另外，WKC4359还能容易地在具有冗余电源的系统中对电源进行“或”操作。在输入电压为负压时，WKC4359可关断外部N沟道MOSFET，阻断输入和输出之间的连接。
理想二极管芯片是一种模拟理想二极管特性的半导体器件，通常由理想二极管控制器（IC）和低内阻 MOSFET 组合构成。它能够在正向偏置时提供极低电阻，实现超低正向压降，而在反向偏置时提供高电阻，快速关断 MOSFET，实现反向截止，从而达到理想二极管的效果，减少传统二极管在导通和截止状态下的能量损耗。
以北京微科WKC4359控制器实现的理想二极管为例，在同等流过10A电流，两端压降控制在30mV左右，而肖特基二极管两端压降分别在400mV～900mV附近。两者的红外热成像照片对比如下：
理想二极管在多个行业，尤其是在电源管理和电子设备保护方面具有广泛的应用价值：
电源管理：在各种电子设备的电源电路中，用于实现电源的 “或” 功能、冗余电源管理、电源保持等，确保电源系统的稳定运行，提高电源效率，延长电池寿命。
电池保护：防止电池反接造成设备损坏，以及在电池充电和放电过程中保护电池免受过度充电、过度放电、短路等故障的影响，延长电池的使用寿命。
工业自动化：用于控制电机和传感器，实现精确的控制和调节，提高工业自动化系统的可靠性和稳定性。
通信和电子设备：在通信设备、计算机、手机等电子产品中，用于信号调理、保护电路、电源管理等方面，提高设备的性能和可靠性。
北京微科WKC4359通过创新设计，成功取代了传统的功率肖特基二极管，从而显著降低了功率耗散，WKC4359的低停机电流仅为10μA，提高了能源利用效率。同时，其平滑的切换性能，避免了振荡现象，保证了系统的稳定运行。它能够精确控制单个功率MOSFET，简化了电路设计。
目前业界能支持正负电压输入的控制器芯片主要集中在Ti、Linear等的极少数几款国外型号。WKC4359在设计上电荷泵升压内置，芯片管脚数量更少，外围电路更简单；所采用的制造工艺上相对SOI（一般情况下，正负压产品为降低的设计与制造难度会采用这种较为昂贵的工艺）成本更低，更可靠，体积更小；该芯片支持的±100V电压范围远超国外竞品的±65V；在敏感度试验上，可以通过CS106、CS114 曲线五、CS115、CS116的测试。
凭借这些优越特性，WKC4359 适用于多种关键应用场景，包括冗余电源管理、电源保持、电信基础设施、计算机系统/服务器以及太阳能系统等。无论是在数据中心、电信设备，还是工业自动化和可再生能源系统中，WKC4359 都能提供高效、稳定的电源管理解决方案，为设备运行提供强有力的保障。
北京微科可以提供包括裸芯信息相关的一切技术支持，这对小型化、合封类产品十分有益。WKC4359作为完全国内设计、制造、封测的自主可控国产化芯片，完全符合国产化芯片的使用要求。
WKC4359的诞生，不仅标志着北京微科在芯片领域的重大突破，更彰显了中国芯片产业在自主创新道路上的坚定步伐。相信在未来，这款芯片将在众多领域发挥重要作用，助力中国科技产业迈向新的高峰。
原文始发于微信公众号（半导体行业观察）：宽压高效，国产之光——北京微科WKC4359理想二极管控制器芯片问世
