作为第三代化合物半导体材料的代表，氮化镓（GaN）凭借其优异的物理特性和广阔的应用前景，正在全球范围内掀起一场产业技术革命。
你或许已在消费电子产品里见过它。小巧高效的GaN充电器让手机、笔记本电脑等设备充电速度大幅提升的同时体积变小。这只是它释放潜力的众多场景之一。凭借其高频率、高功率和高效率的特性，GaN正在成为众多行业的“游戏规则改变者”。GaN器件能在极端环境、在更高的频率范围下工作，同时提供更大的输出功率和更高的能量效率，已成为无线通信、卫星通信、雷达与导航、智慧医疗、物联网等高端应用发展的核心驱动力，正在达到规模化应用的临界点。
GaN器件应用场景，图源网络
尽管前景广阔，GaN的广泛应用仍面临一系列挑战。我们需要产业链上下游充分合力，通过一系列技术创新和规模化生产来释放GaN的全部潜力。
九峰山实验室成立之初就已超前布局以氮化镓材料为核心的研究，现已全方位从材料、器件到产业应用取得一系列突破性成果。
它们分别是：
1
颠覆性材料
国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底（N-polar GaNOI）
2
器件及设计创新
全国首个100nm高性能氮化镓流片PDK平台
3
系统级应用创新
动态远距离无人终端无线能量传输完成示范验证
（了解以上GaN系列突破性进展的详细内容，请移步本公众号同日发布的系列文章。）
释放化合物半导体的全部潜力，需要持续性创新、需要成熟完备的生态系统支持、需要强有力的产业驱动。九峰山实验室将继续保持产业敏锐度，以领先的技术创新能力，与合作伙伴一起持续推动化合物半导体行业的进步，探索化合物半导体改变未来的无限可能性。
