半导体设备新贵新凯来携31款设备亮相SEMICON展会，国产化替代脚步正在加速

3月26-28日，SEMICON China 2025在上海举办，深圳新凯来工业机器有限公司作为国内半导体装备领域的新锐力量，携31款自主研发的高端设备惊艳亮相，展示了其在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体装备领域的重大技术突破，引发行业高度关注。

新凯来工业机器成立于2022年，是深圳国资体系重点孵化的半导体装备企业。其母公司新凯来技术有限公司由深圳市重大产业投资集团于2021年全资设立，依托深圳国资委在集成电路产业的战略布局，专注于突破半导体制造设备"卡脖子"难题。公司核心团队汇聚了国内外半导体设备领域顶尖人才，已构建覆盖前道制程装备、精密检测设备及核心零部件的完整研发体系。

PlanarFET 平面场效应晶体管：

FinFET鳍式场效应晶体管：

GAAFET环绕栅极场效应晶体管：

本次展出的产品线以"山"为系列命名，涵盖扩散、刻蚀、薄膜、光学检测、光学量测、PX量测、功率检测等。

现场发布的5款新品：外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备CVD（长白山），更彰显其技术沉淀与创新高度。

1 工艺装备

分为刻蚀产品、扩散产品、薄膜产品三类。

1.1 刻蚀产品

刻蚀产品ETCH（武夷山）：有4款12英寸设备。

1.1.1 ETCH武夷山3号

12英寸精细硅/金属刻蚀设备

武夷山3号为电感耦合等离子体 (ICP)干法刻蚀设备，全对称、高流导架构设计，整机可配置6个工艺腔(PM)，满足先进节点各类精细硅及金属刻蚀场景需求。

适用工艺：栅极刻蚀，多重图形，鳍刻蚀等

适用材料：硅，锗硅，氮化钛等

产品特点：

· 射频全链路自主可控，多种偏置频率配置可选，满足不同刻蚀场景需求；

· 快速步间切换，有效调控负载效应；

· 三区分气+任意气体微调，增强自由基分布均匀性调控能力；

· ESC百区精准温控，保障CDU优异表现。

1.1.2 ETCH武夷山5号

12英寸高选择性刻蚀设备

武夷山5号为自由基干法刻蚀设备，氧化硅及硅选择性刻蚀组合解决方案，单腔设计，整机可配置6个工艺腔(PM)，满足先进节点高选择性刻蚀场景需求。

适用工艺：伪栅去除，无定形硅去除，源漏极回刻等

适用材料：硅，锗硅，氧化硅，氮化硅等

产品特点：

· 创新匀气方案设计，大幅提升刻蚀选择比；

· 四区控温ESC，增强硅刻蚀均匀性调节能力。

· 射频全链路自主可控，支持双级脉冲增强负载效应调控能力。

· 氧化硅及硅选择性刻蚀腔室数量任意组合，最大化不同工艺场景WPH表现。

1.2 扩散产品

（RTP山清山+EPI峨眉山）

1.2.1 RTP三清山1号

12英寸单片栅极氧化/氨化设备

超薄致密硅氧生长

适用工艺：浅沟槽氧化、栅氧生长、高K材料退火、钛硅化物退火、 ALD栅氧致密化等。

1.2.2 RTP(三清山2号)

12英寸单片超快尖峰退火设备

三清山2号覆盖尖峰退火/超快尖峰退火等逻辑及存储应用场景，具备大行程磁悬浮升降运动控制及背照式退火能力，支撑先进工艺持续演进。

适用工艺：轻掺杂源漏退火，源漏退火，高K材料盖帽层退火等

产品特点：

· 大行程磁悬浮升降技术及高吸收选择性反射板设计，有效降低尖峰退火工艺热预算

· 非对称式多区边缘补偿技术及智能温控算法，实现高均匀性退火工艺。

· 器件级同步技术及毫秒级控制环路技术，提升片间重复性。

· 智能开环温控算法及自适应热预算匹配设计，大幅提升工艺开发效率。

1.2.3 EPI(峨眉山)

12英寸单片减压外延生长设备

峨眉山采用创新架构设计，全面覆盖逻辑及存储外延等应用场景，支持向未来先进节点演进。

产品系列：峨眉山1号、峨眉山2号、峨眉山3号

适用工艺：源漏极锗硅外延（1号）；源漏极磷硅外延（2号）；沟道外延，超晶格叠层外延、埋层外延（3号）

适用材料：硼掺杂锗硅，硼掺杂锗硅镓等（1号）；磷硅，磷硅砷等（2号）；锗硅，纯硅，纯锗等（3号）

产品特点：

· 多分区温控和流控系统设计，实现热流场精准调控，有效提高外延膜层均匀性。

· 创新小腔室架构设计，搭配智能调度算法，实现资源高效利用，大幅降低运营成本。

· 核心部件自主可控，与系统设计高度匹配，达到最佳性能组合，有效提升设备稳定性。

EPI峨眉山1号——锗硅外延

适用工艺：源漏极锗硅外延、

适用材料：硼掺杂锗硅，硼掺杂锗硅镓等。

1.3 薄膜产品

薄膜产品（PVD普陀山+CVD长白山+ALD阿里山）

PVD普陀山3号、长白山1号、阿里山3号

1.3.1 PVD普陀山1号

12英寸金属平面膜沉积设备

普陀山1号适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，镀膜均匀性高，同时具备高产能与高稳定性。

产品系列：普陀山1号AIOx、普陀山1号TTN、普陀山1号SiN、普陀山1号W

产品特点：

· 全靶腐蚀算法搭配创新磁控溅射技术，显著提升膜层均匀性和靶材利用率。

· 智能调度算法，提升多腔集成系统产能。

· 创新人机交互界面，操作简单。

1.3.2 PVD普陀山3号

后道金属互连

1.3.3 CVD长白山1号

12英寸介质薄膜沉积设备

长白山1号具备单腔4-Station领先架构，全面覆盖逻辑及存储介质薄膜多种工艺，支持向未来先进节点演进。

适用工艺：扩散阻挡层，抗反射层硬掩膜层，层间介质层钝化保护层等

适用材料：掺杂碳化硅，掺氮氧化硅,掺碳氧化硅，非晶硅，氮化硅、氧化硅，氟化玻璃等

产品特点：

· 高均匀流热场腔室设计保障成膜均匀性。

· 高精度射频系统搭配Sequential Process工艺模式保障成膜一致性。

· 单腔4-Station先进架构搭配智能调度算法保障生产稳定高效。

· 宽范围工艺位可调、宽RF系统匹配能力，满足多种制程工艺需求。

1.3.4 ALD阿里山1号

12英寸高保形性介质薄膜原子层沉积设备

阿里山1号搭配五边形平台和Twin腔领先架构，覆盖先进逻辑/存储前中后段介质薄膜应用场景，满足图形化，超薄薄膜，超高深宽比gap fi 需求，支持向未来先进节点演进。

适用工艺：多重曝光，栅氧化层，刻蚀阻挡层，超高深宽比填充层

适用材料：低温氧化硅，高温氧化硅高质量氧化硅，氧化钛，氮化硅等

产品特点：

· 超高速射频匹配以及毫秒级采样控制系统，保障成膜稳定性和一致性；

· 小体积腔室+快速换气，提高等离子体密度，确保高速，高均匀性薄膜沉积；

· 高精度控温花酒，降低Particle，提升MTBC；

· 高集成化腔室+高速Wafer传铺系统设计，增加Station密度，提WPH。

1.3.5 ALD阿里山3号

高深宽比金属栅极原子层填充

2 量检测装备

量检测装备包括光学量检测产品和PX 量测和功率检测产品。

光学量检测又分为光学检测和光学量测两类。

2.1 光学检测产品

光学检测：BFI岳麓山、DFI丹霞山、PC蓬莱山、MBI莫干山的缺陷检测产品设备。

2.1.1 BFI岳麓山

明场有图案晶圆缺陷检测

BFI产品采用自研深紫外宽谱等离子体光源、大NA物镜和高速探测器，为逻辑、存储客户提供高灵敏度、高产率、高检出率的有图案晶圆纳米级缺陷检测解决方案。

应用场景：

· 覆盖研发独特缺陷和量产良率关键缺陷检测，包括但不限于桥接、断线、颗粒、残留、划痕和欠蚀；

· 光刻工艺参数优化，包括但不限于光学邻近效应修正迭代、光刻窗口鉴别。

产品特点：

· 高产率:高功率照明，大视场，高速探测器

· 高灵敏度:深紫外光源，大NA物镜，高动态范围成像

· 高检出率:高精准定位，先进缺陷检测算法

· 高适应性:多种光学模式覆盖前、中、后道各种关键类型缺陷

2.1.2 丹霞山 DFI

暗场有图案晶圆纳米级缺陷检测

应用场景：全场景随机缺陷检测；在线光刻显影后缺陷检测；工艺设备状态监控。

2.1.3 蓬莱山 PC

无图案晶圆表面缺陷检测

应用场景：晶圆出货及进货质量检查；各类镀膜工艺研发及监控；工艺设备日常颗粒监控。

2.1.4 莫干山 MBI

全场景空白掩模缺陷检测

应用场景：基板厂和掩模厂工艺过程控制、出货检、来料检；工艺设备日常颗粒监控。

2.2 光学量测产品

光学量测有天门山的衍射套刻量测和图形套刻量测产品设备。

2.3 PX量测产品

PX 量测产品有4套。

2.3.1 XRD(赤壁山-XD)

X射线衍射量测产品

XRD产品具备全自动外延表征能力，为客户提供高产率、高精度和高重复性的多样化量测解决方案。

应用场景：

· 单晶和多晶薄膜材料的晶体质量和相位分析；

· 高分辨X射线行射、微焦斑高分辨X射线衍射、快速微焦斑高分辨X射线衍射、广角散射、掠入射X射线行射、极图、面内X射线衍射和X射线反射等多种量测模式；

· 大小光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测。

产品特点：

· 高产率:优异的X射线光路和五轴台设计，有效提升产率；

· 高精度:高分辨测角仪，保证量测精度；

· 高重复性:可靠稳定的硬件系统，支撑量测高重复性；

· 高灵活性:多种量测模式自动切换，灵活适配多种薄膜材料应用。

2.3.2 XPS(赤壁山-XP)

X射线光电子能谱量测产品

XPS产品具备全自动光电子能谱量测能力，为客户提供高产率、高精度和高再现性的超薄膜厚度与元素含量量测解决方案。

应用场景：

· 离子氮化、金属棚极、超薄介质、侧壁隔离和外延等工艺后的量测

· 大小光斑量测模式，支持无图案和有图案晶圆量测

· XPS与低能量X射线荧光能谱二合一，使能超晶格共价化合物(硅-锗)薄膜量测

产品特点：

· 高产率：高通量的X射线光源和光路设计，支撑高产率

· 高精度：优异的系统信噪比，量测结果更精确

· 高再现性：全自动健康自检自校，确保量测结果常稳可靠

2.4 功率检测产品

2.4.1 RATE-FT

功率单管和模组电性能检测产品

FT产品具备功率单管和模组动静态电性能检测能力，为客户提供超低杂散电感、超高精度、高效率的自动化检测解决方案。

应用场景：

· 中大功率单管电性能检测和筛选；

· 功率模组电性能检测和筛选

产品特点：

· 高规格：高电压、大电流、超低杂感、超高精度；

· 高效率：支持多管并测配套高速Handler实现高UPH，支持快速换线；

· 高可靠：极速过流保护，多重安全防护；

· 高兼容：支持多种封装单管和模组检测，支持上顶和下压等多种场景；

· 高灵活性：支持一线多站按需配置，支持客户极简应用开发。作深圳国资

集成电路产业版图的重要落子，新凯来已与中芯国际、华虹集团等头部晶圆厂建立战略合作，其设备在第三代半导体、先进封装等领域实现批量应用。

本次展会不仅彰显了国产半导体装备的技术飞跃，更凸显深圳在打造自主可控产业链上的战略决心。随着新凯来等企业持续突破，中国半导体设备产业正加速迈向高端化发展新阶段。

为加快产业上下游企业交流，艾邦建有碳化硅半导体产业链交流，欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。

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