晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列外延片，携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进程

新一代硅基Full Color GaN® LED外延产品在性能上实现了全面升级。在Micro-LED微缩化进程中，当芯片尺寸小于20微米时，侧壁缺陷导致的非辐射复合会使内量子效率急剧下跌。晶湛通过优化RGB外延结构的应力调控层及有源区设计，8寸蓝光硅基LED的内量子效率（IQE）媲美主流PSS衬底LED，绿光硅基LED在电流密度>10A/cm²的条件下，内量子效率与PSS衬底LED相当。该突破成功解决了微缩化带来的载流子运输效率骤降难题，将微米级芯片的电流扩展能力进一步提升。

当Micro-LED像素尺寸进入亚10微米、甚至亚微米范畴，单颗像素缺陷率随阵列密度呈指数级上升。行业数据显示，1微米级像素阵列在百万像素规模下的初始良率通常不足60%，而AR设备视网膜级显示要求需达到99.9999%的像素完好率。传统工艺因缺乏晶圆级检测手段，难以定位亚微米级短路或开路缺陷。面对像素阵列的良率管控挑战，晶湛半导体依托200mm晶圆工艺平台，建立了“材料-工艺-验证”协同开发体系ZDP™平台。从外延生长的形貌检测、工艺监控，到晶圆级Micro-LED阵列的测试、检测模块，形成覆盖材料-工艺-晶圆的闭环质控体系。并且成功制备出高良率、高均匀性、高像素密度的亚微米级微型Micro-LED像素阵列，这一成果显著推动了Micro-LED像素阵列与Si CMOS驱动的混合集成，极大降低修复成本，为AR眼镜的商业化进程注入了新的动力。