在半导体前道工艺(Front End)中,CMP系统、涂布显影轨道及蚀刻系统是决定晶圆加工精度的核心环节。这些设备对材料的洁净度、耐热性及尺寸稳定性要求近乎苛刻。塑料材料因其轻量化、耐腐蚀、低污染等特性,在半导体设备中扮演着关键角色。本文将聚焦前工程中的三大核心系统——CMP系统、涂布显影轨道(Coat/Develop Track)及蚀刻系统(Etching System),解析其关键部件及适配的高性能塑料材料。

图源东波尔斯精密塑料,摄于SEMICON上海展

1、CMP系统:平坦化工艺的精密守护者

CMP(化学机械平坦化)系统通过机械与化学作用实现晶圆表面纳米级平整,其核心部件对材料的洁净度与稳定性要求极高。

图源东波尔斯精密塑料,摄于SEMICON上海展
  • Retainer Ring(研磨环)

材料:PPS(NC)-SC

特性:黑点极少、金属离子溶出量低,显著提升工艺洁净度;新规格持续开发中,未来性能更优。

CMP研磨环(12 inch),摄于SEMICON上海展东波尔斯精密塑料

  • Head(头部)

材料:PPS(NC)-SC

特性:与保持环同材料,确保高速旋转下的低污染与高稳定性。

  • Base for Cleaning Acre(清洗部台座)

材料:PPS、PEEK-ESD

特性:低变形、尺寸稳定,适应高频清洗环境。

2、涂布显影轨道:光刻工艺的洁净核心

涂布显影轨道负责光刻胶的均匀涂布与显影,需耐受高速旋转与化学试剂侵蚀。高速旋转的晶圆杯与喷嘴协同工作,材料稳定性直接决定工艺良率。

图源东波尔斯精密塑料,摄于SEMICON上海展
  • Cup(晶圆承载杯)

材料:POM(MC)-S、PPS(NC)-SC

特性:

1)POM(MC)-S:低变形、尺寸稳定,确保晶圆定位精准。

2)PPS(NC)-SC:黑点少、金属离子溶出低,提升光刻胶涂布质量。

3、蚀刻系统:复杂环境的耐受者

蚀刻系统需在高温、真空及腐蚀性气体环境下稳定运行,材料耐热性与洁净度缺一不可。其中气体供应系统与腔室部件的材料选择直接影响蚀刻精度。

图源东波尔斯精密塑料,摄于SEMICON上海展

  • Chamber Area Machine Parts(工艺腔室部件)

材料:PPS(NC)-SC、PEI(NC)

特性:

1)PPS(NC)-SC:黑点少、金属离子溶出低,保障腔室洁净。

2)PEI(NC):耐热性优异,适应高温蚀刻环境。

材料创新驱动工艺升级

当前,半导体设备正向更高精度、更低污染方向发展,材料研发亦同步加速:

PPS(NC)-SC:通过优化配方减少黑点,成为多场景通用方案。

PEEK-ESD:兼具抗静电与耐化学性,适用于高敏感环境。

新规格开发:如耐高温复合材料、低释气材料等,持续突破性能边界。

图源东波尔斯精密塑料,摄于SEMICON上海展

在半导体前工程中,塑料材料已从“辅助角色”升级为“关键支撑”。通过材料科学的创新,未来设备将更高效、更洁净,为5nm以下制程乃至更先进的芯片制造铺平道路。

文章来源于东波尔斯精密塑料展会宣传资料及网络公开信息,侵删

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作者 808, ab