在评估或选择 GaN 功率器件时，应考虑几个关键参数：
VDS，max（漏源电压）：这是器件在关断状态下保证阻断在漏极和源极之间的最大电压
VDS，trans（瞬态漏源电压）：这是器件在关断状态下保证在漏极和源极之间阻塞的最大重复瞬态（脉冲）电压
RDS（on）：也称为导通电阻，是晶体管导通时漏极和源极之间的电阻。更低的RDS（on） 意味着更低的导通损耗和更高的效率
VGS（栅极-源极电压）：这是器件保证在栅极和源极之间阻塞的最大电压。
Qg（总栅极电荷）：它表示打开和关断晶体管所需的总电荷。较低的Qg实现更快的开关速度并减少开关损耗
ID，max：最大漏极电流与器件可以处理的最大功率严格相关
Qoss（output charge）：它表示存储在晶体管输出电容中的电荷。低Qoss降低开关损耗并提高高频性能。
VGS，th（阈值电压）：它定义了打开晶体管所需的最小栅极电压。此参数会影响驱动要求、电路设计和系统可靠性。较高的Vth提高了抗噪能力，而较低的 Vth则使开通更轻松
Qrr（反向恢复电荷）：它影响快速开关应用中的开关损耗和整体性能。由于没有体二极管，对于GaN功率器件，此参数应等于零
Eoss （output charge energy）：定义为存储在器件输出电容中的能量，用于评估开关转换期间的能量损失
Rth（thermal resistance）：它是衡量散热效率的指标。较低的Rth意味着更好的热性能
与这些参数相关的是品质因数（FOM）。FOM是通常用于评估GaN器件的组合指标。常见的FOM是RDS（on）* Qg，其中较低的值表示性能越好。有时也会使用RDS（on） * Qoss。根据经验，较低的 FOM表明导通和开关损耗的平衡更好。
来源：星辰工业电子简讯、未来芯研究
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