韩国启方半导体(Key Foundry)今天宣布，将发布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工艺。
BCD是一种将双极晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和用于高压处理的双扩散金属氧化物半导体(DMOS)集成在同一个芯片上的工艺技术。它被广泛应用于功率半导体的制造，与普通半导体相比，功率半导体需要更高的额定电压和更高的可靠性，随着功率半导体应用的扩大，对BCD的需求也在不断增加。
与启方半导体现有带EPI外延层的BCD工艺相比，这个新的0.18微米30V非EPI BCD工艺尽管去除了EPI外延层，但仍保持了同等性能。这个新工艺非常适合于与普通半导体相比需要更高电压，更高可靠性 和更高效率的功率半导体应用。能够适用于低功耗电源管理如智能手机和智能手表应用的 DC-DC 和充电芯片的生产。
这种新工艺比导通电阻(Rsp)性能与0.18微米EPI BCD工艺相比保持不变。启方半导体可提供5V至30V之间的各种功率器件选择。由于该工艺不需要EPI制程，因此提高了工艺效率，通过为5V电源模块提供5V LDMOS晶体管，实现了高效设计。特别值得一提的是，这个新的非EPI BCD工艺的逻辑器件保持了和现有EPI BCD工艺逻辑器件非常接近的电性能，同时其数据库（libraries） & IP和目前大规模量产的工艺相兼容。为了提高使用者的便利性，新工艺还提供了MTP（多次编程）和OTP（一次性编程）IP，而不需要任何额外的工艺步骤。得益于这些优点，该工艺适用于需要存储功能的功率半导体，也可以用于其它多种类型的应用，如移动直流-直流IC和充电器IC。
从工艺开发的最早阶段开始，启方半导体就与无晶圆厂功率半导体设计客户密切沟通，以反映市场对工艺结构的需求。启方半导体通过开发出容易使用的版图选项和设计工具包，加强了用户的使用便利性。特别是，与现有产品相比，客户能够实现简化流程提高产品性能。同时这个新工艺满足了汽车电子国际可靠性规范AEC Q100的Grade-1要求，所以不仅适用于移动设备，而且还可以用于汽车功率半导体，如马达驱动IC和直流-直流IC等。
启方半导体首席执行官李泰钟(Tae Jong Lee)博士表示："随着功率半导体市场的快速增长，对高度可靠又更精简的BCD工艺的需求正在增加。我们将继续改进工艺技术，提供最优化的BCD工艺，满足功率半导体设计公司的需求。"
来源：美通社
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