GaN - 艾邦半导体网

周一. 4 月 14th, 2025

长城电源导入InnoGaN，实现AI数据中心能源系统重构

2025-04-10 808, ab

长城电源选择英诺赛科氮化镓技术应用于AI数据中心电源，实现超…

晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列外延片，携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进程

2025-04-09 808, ab

晶湛半导体发布第二代 Full Color GaN® 全彩系…

英诺赛科与意法签署GaN合作，24年收入同比增长39.8%

2025-04-01 d

4月1日，意法半导体宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协…

意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

2025-04-01 d

‍‍‍‍‍‍ ❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，…

GaN技术进展③｜GaN颠覆应用场景，20米远距无线传输能量

2025-03-24 d

九峰山实验室GaN系列成果三近日，九峰山实验室基于自主研发…

GaN技术进展①｜国际首创8英寸硅基氮极性氮化镓衬底

2025-03-24 d

九峰山实验室GaN系列成果一近日，九峰山实验室科研团队在全…

GaN技术进展｜九峰山实验室GaN系列成果首次发布

2025-03-24 d

作为第三代化合物半导体材料的代表，氮化镓（GaN）凭借其优异…

EPC专利被判决无效，英诺赛科获ITC案件终极胜利

2025-03-19 d

2025 年3月19日 - 英诺赛科（苏州）科技股份有限公司…

住友电工和大阪公立大学成功在2英寸多晶金刚石衬底上制作GaN-HEMT

2025-03-11 gan, lanjie

住友电气工业株式会社与大阪公立大学（Osaka Metrop…

新微半导体宣布推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台

2025-03-10 808, ab

3月10日，上海新微半导体有限公司（简称“新微半导体”）正式…

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