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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
9月12日,士兰微发布公告,称拟增资8亿认缴厦门士兰集科微电…
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IGBT模块通常需要经过贴片、焊接、等离子清洗、X光检测、键…
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6月21日上午,南京2024全球产业科技创新与投资促进大会开…
在不断发展的电力半导体领域,过去十年间发生了显著的变化,并有…