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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2024年由艾邦主办的第六届精密陶瓷暨功率半导体产业链展览会…
功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力，良好的热管理对…
能源是经济社会发展的重要物质基础和动力源泉。近些年，…
近日，全球领先的LED设计与制造供应商光鼎电子（PARA L…
近年来，随着新能源汽车、风-光-储-氢等新能源发电以及智能电…
5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作…
功率半导体是电力电子设备转换能源的核心元件，随着新能源汽车、…
5月18日下午3点，合肥安赛思半导体有限公司与新加坡三福半导…
绝缘栅双极型晶体管 IGBT (Insulated Gate…
昕感科技完成京能集团旗下北京京能能源科技并购投资基金战略入股…
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