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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
IGBT 作为一种功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术…
这些年来，随着功率半导体的快速发展，在第三代半…
摘要 40多年来，设计和制造传统混合电路的首选基板一直是氧化…
IGBT是 "Insulated Gate Bipolar …
晶体管主要分为三类：双极晶体管、MOSFET和IGBT。下表…
绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种通过与MOSFET相同的方…
FS IGBT是在NPT IGBT基础上开发的IGBT，其内…
连接技术可分为可分离的电气连接、有条件可分离的电气连接和不可…
IGBT涉及两种电气键合技术—内部键合和外部键合。内部电气键…
塑模化合物用来封装小电流、低电压的分立IGBT或IGBT模块…
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