SiC 天科合达研发团队在《人工晶体学报》上发表8英寸导电型SiC单晶衬底制备与表征重要文章 2023-01-11 gan, lanjie 8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征 娄艳芳,巩拓谌,…