全球最大的纯化合物半导体代工厂稳懋半导体，已通过发布新的碳化硅 (SiC) 0.12μm 栅极技术上的氮化镓 (GaN) 扩展了其射频 GaN 技术组合。NP12-01 毫米波化合物半导体技术提供了更高的增益和更高的晶体管稳定性因数。NP12-01 技术非常适用于 5G 毫米波无线电接入网络、卫星通信和雷达系统中使用的大功率放大器。
NP12-01 平台支持完整的 MMIC，允许客户开发高达 50GHz 的紧凑型线性或饱和功率放大器。 该工艺适用于 28V 操作，在 29GHz 频段产生超过 4 瓦/毫米的饱和输出功率，线性增益为 13.5 dB，效率接近 50%。当针对功率附加效率进行优化时，NP12-01 在 29GHz 时提供超过 3.5 瓦/毫米的输出功率和超过 50% 的 PAE。
NP12-01 平台提供的更高增益和功率附加效率为设计人员提供了更大的交易空间，以优化放大器性能和芯片尺寸，以满足当前通信平台和雷达系统日益困难的规格。根据功能，这些高性能应用需要精确优化输出功率、线性度、增益和效率，而广阔的交易空间对于平衡放大器性能和产品成本至关重要。
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