II-VI Incorporated签署多年合同，向英飞凌提供用于电力电子的150mm SiC基片

宽带隙化合物半导体的领导者贰陆公司（Nasdaq: IIVI）今天宣布，它完成了一项多年的合同，向英飞凌科技公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）提供用于电力电子的150毫米碳化硅（SiC）基片。

电动汽车（EV）市场的飞速增长推动了电动汽车动力系统、车载电池充电装置和充电基础设施对基于SiC的电力电子设备的需求。与最先进的硅基器件相比，SiC使电力电子器件更小、更高效，而且系统级总成本更低。通过这份合同，英飞凌正在采取战略措施，确保其150毫米SiC基板的供应。II-VI 和英飞凌还将合作向200毫米SiC基板过渡。

"英飞凌作为功率半导体的市场领导者，是我们的重要合作伙伴，"II-VI ，新风险投资和宽带电子技术执行副总裁Sohail Khan说。"我们高度专业化的产品现在正帮助英飞凌向全球主要客户提供创新的电子元件。"

"SiC化合物半导体在功率密度和效率方面设立了新标准。我们正在利用它们来实现我们的去碳化和数字化战略，"英飞凌首席采购官Angelique van der Burg说。"英飞凌正在增加对其SiC制造能力的投资，以满足我们客户快速增长的需求。我们很高兴将II-VI 加入我们的战略供应商群，共同发展我们的业务。"

II-VI 2022年3月宣布，它正在加快对150毫米和200毫米SiC衬底制造的投资，在宾夕法尼亚州伊斯顿的近30万平方英尺的工厂进行大规模的工厂扩建。通过这次扩建，II-VI ，到2027年将达到相当于每年100万块150毫米衬底的产量，200毫米衬底的比例将随着时间的推移而增长。