杭州士兰微电子股份有限公司发布公告称，近期，士兰明镓 SiC 功率器件生产线已实现初步通线，首个 SiC 器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产 2000 片6 英寸 SiC 芯片的生产能力。
士兰微目前已完成第一代平面栅 SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平，并已将 SiC-MOSFET 芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。
作为第三代半导体材料的典型代表，SiC 具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料。在新能源汽车领域，SiC 功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载 DC/DC 转换器、车载充电器（OBC）等。车载充电器和充电桩使用 SiC 器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。
据介绍，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司是由杭州士兰微电子股份有限公司（持股34.72%）与厦门半导体投资集团有限公司（持股65.28%）共同出资设立，计划投资50亿元分两期建设一条 4/6 吋兼容的化合物半导体生产线。截至 2021 年底，士兰明镓已完成第一期 20 亿元的投资，形成了每月 7.2 万片 4 英寸 GaN 和 GaAS 高端 LED 芯片的产能，其产品在小间距显示、mini LED 显示屏、红外光耦、安防监控、车用 LED 等领域得到广泛应用。并于2022年7月正式启动化合物半导体第二期建设项目，即"SiC 功率器件生产线建设项目"，计划投资 15 亿元，建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线，最终形成年产 14.4 万片 6 吋 SiC 功率器件芯片的产能，其中 SiC-MOSFET 芯片 12 万片/年、SiC-SBD 芯片 2.4 万片/年。
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