LIDE即将亮相CSPT半导体封测年会
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LPKF LIDE成功亮相CIAP&CSEAC

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10月27-29日,以“攻坚共克难,聚力芯封测”为主题的第十四届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA)和第十届中国半导体设备年会暨半导体设备与核心部件展示会(CSEAC)在无锡太湖国际博览中心成功举行。LPKF乐普科展示了LIDE激光诱导深度蚀刻技术在薄片玻璃上的微加工工艺在半导体封装领域的应用,并带来了以“玻璃基材在微系统中应用的全新可能性”为主题的精彩演讲。

本次演讲主要明确了由LPKF自主研发的LIDE激光深度诱导蚀刻技术中的“深度”和“诱导”的确切含义,区别于目前市场上名称近似但实际原理不同的其他工艺。另外分享了LIDE技术面向不同的玻璃材料以及不同应用方向的各种解决方案,例如TGV微通孔、微盲孔,玻璃通槽,玻璃盲槽,提前预置划片沟道等。LIDE工艺在加工高质量,无缺陷,高精度微图形方面是成本最低的选择。这个技术的出现预示着玻璃将作为一种核心材料让微系统领域的一些新设计成为可能,有着颠覆式创新整个产业链的潜力。

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LPKF LIDE即将亮相CSPT南通封测年会

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CSPT封测年会-南通会议信息


展会时间:2022年11月15-16日

展会地点:江苏南通国际会议中心

展  位  号:A78


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LPKF LIDE产品应用新成果展示

LIDE

激光诱导深度蚀刻

工作频率高于150GHz的玻璃基封装雷达单片微波集成电路,  使用LPKF LIDE 技术制作多层TGV中介层以及玻璃空腔

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采用倒装(FC)式玻璃基密封封装的MMIC

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侧视图: 玻璃空腔中的倒装ASIC,密封玻璃封装的垂直多层玻璃通孔(TGVs)

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传感器结构:介质波导,介电透镜天线以及玻璃封装体

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雷达传感器安装在标准PCB 上— PCB 上还包括基带线路以及雷达前端

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LPKF LIDE常规应用展示

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锥形TGV

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高密度TGV

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共形金属化

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填孔金属化

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MASK

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MEMS

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MEMS

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空腔盖板

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AMP集成电路封装新型解决方案

本次活动除了LIDE的新成果展示,我们还将分享AMP(活性模塑封装)集成电路新型解决方案,欢迎各位业内人士莅临我司展位A78指导交流。

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AMP技术优势:工艺简单且成本低

- 环氧模塑料EMC表面直接实现电气连接功能

- AMP 实现主动与被动器件之间的水平或垂直互联

- 实现异质2.5D封装


AMP电路可实现的最小线宽/间距为25µm

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AMP可实现LDS互联功能的模塑通孔TMV的最高径深比为1:10,以及最小焊盘孔直径为90µm。

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图文

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原文始发于微信公众号(LPKF乐普科):LIDE即将亮相CSPT半导体封测年会

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