韩媒：东进半导体与三星成功开发EUV光刻胶

据韩媒报导，东进半导体19日宣布，近期通过了三星电子的EUV PR（光刻胶）可靠性测试。消息人士称，东进半导体在其位于京畿道华城的工厂开发了 EUV PR，并在三星电子华城 EUV生产线上对其进行了测试，并已通过可靠性测试。

PR，也称为光刻胶，是半导体曝光工艺中的关键材料。它应用于晶片上，当用半导体曝光设备照射光时，会发生化学反应并改变物理性质。通过用显影剂冲洗掉 PR 来绘制微电路，只留下必要的部分。

EUV PR是2019年日本对韩国的三大限制出口半导体材料之一。韩国已量产用于氟化氪 (KrF) 和氟化氩 (ArF) 工艺的 PR，但没有用于可以绘制更精细电路的EUV的PR。韩国使用的EUV PR大部分是从日本进口。

东进半导体在2019年日本出口限制后加速EUV PR发展。利用自有的基础设施，如现有的氟化氩曝光机和比利时半导体研究所I MEC EUV设备，开始进行EUV PR本地化。今年早些时候，东进半导体加速了EUV PR技术开发。此外，三星电子积极支持 EUV 测试环境，以达到可以在现场使用的质量水平。业内人士表示，"要在两年内成功开发出EUV PR是相当困难的。"

目前尚不清楚三星电子是否会立即将东进半导体 EUV PR 投入半导体生产线。正常情况下，如果质量合格就会投入量产线。为此，有人预测最早可能在明年上半年供应。

三星电子和东进半导体拒绝就 EUV PR 资格置评。三星电子的一位官员表示："我们无法与合作公司确认 Qual 是否通过。

文章来源：闪存市场https://www.chinaflashmarket.com/News/2021-12/175907