扬杰科技拟投资10亿元建设 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目

4月21日，扬州扬杰电子科技股份有限公司发布公告称，已于 2023 年 4 月 18 日与扬州市邗江区人民政府签署了《6 英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，扬杰科技拟在甲扬州市邗江区投资新建 6 英寸碳化硅晶圆生产线项目。

项目总投资约 10 亿元，新建厂房 27,000 平方米，其中高洁净车间（光刻区十级、操作区百级）的净化装修预计在 4,500 平方米，分两期实施建设，全部建成投产后，形成碳化硅 6 英寸晶圆产能 5000 片/月。

作为第三代半导体材料的核心，碳化硅与传统的硅半导体相比，具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、IT 及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。近年来，在全球"碳达峰、碳中和"的大背景下，新能源汽车、光伏等市场景气度高企，对碳化硅产品的市场需求日益强烈，驱动碳化硅器件加速导入和发展，进一步打开了碳化硅的市场空间。

扬杰科技较早地布局了第三代半导体产业，已涉足碳化硅产品研发设计多年，形成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出 SiC 模块及 650V SiC SBD、1200V 系列 SiC SBD 全系列产品，SiC Mosfet 已取得关键性进展，后续拟进一步布局 6-8 英寸碳化硅芯片生产线建设。