全面量产！合盛硅业半导体SiC项目取得重大突破

日前，第五届SEMI-e深圳国际半导体技术暨应用展览会在深圳国际会展中心圆满落幕。展会以“芯机会·智未来”为主题，吸引了600余家精选展商携其特色展品和专业服务亮相。

本届展会中，合盛硅业控股子公司宁波合盛新材料有限公司携自主研发的宽禁带半导体SiC衬底等产品受邀参会，引起了现场众多客户的高度关注。

“公司已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶体生长、衬底加工等全产业链核心工艺技术，突破了关键材料（多孔石墨、涂层材料）和装备的技术壁垒，目前SiC生产线已具备量产能力，产品良率处于国内企业领先水平，在关键技术指标方面已追赶上国际龙头企业水平。”合盛半导体SiC项目营销部负责人接受媒体采访时表示。

近年来，合盛硅业持续布局硅基新材料全产业链，夯实稳固工业硅、有机硅发展基础，并加速在第三代半导体SiC、光伏新能源等领域的产业攻坚，不断深化合盛作为“全球最完整硅基全产业链公司”的行业领军地位。

半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、大功率电源转换等领域有着广泛应用，深刻影响着人们的日常工作与生活。

半导体产业链发展至今，经历了三个阶段。第一代半导体材料以硅（Si）为代表，第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）为代表。前两代半导体材料技术话语权始终掌握在欧美国家手中，而碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料代表，相比前两代具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能。

合盛硅业顺势而为，于2020年在宁波慈溪成立了宁波合盛新材料有限公司，目前已累计投入近5亿元的研发资金，与专家技术团队一起，全力攻坚第三代半导体SiC，以完成对欧美国家在半导体领域的弯道超车。

提高SiC衬底材料的国产化率、实现进口替代是中国半导体行业急需突破的产业瓶颈。

截止目前，合盛2万片宽禁带半导体SiC衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收，并具备量产能力，6英寸晶体良率达到90%，外延片良率达到95%，同时8英寸衬底研发顺利，产品各项指标均处于业内领先水平，且拥有自主知识产权，掌握核心研发能力。

为强化科研实力，打造创新引擎。合盛硅业位于上海嘉定区的研发制造中心已全面动工，该项目预计总投资2.5亿元，计划2024年底竣工，达产后年产值约7.1亿元。

研发制造中心建成后，将依托公司自有技术，创新攻坚第三代半导体SiC长晶技术和有机硅材料高端产品，助力打造上海SiC晶圆和有机硅产业生态圈。

合盛硅业半导体SiC项目各工序全线贯通与全面量产，将进一步推动SiC工艺技术进步，实现进口替代，保障第三代半导体材料的可持续发展，并服务节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，助力新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业的自主创新发展，为中国科技产业升级提供源源不断的绿色“芯动力”。