高意开发了一种独特的材料技术(3DSiC®)，可以充分利用碳化硅(SiC)的潜力，以最小的损耗处理非常高的功率，同时保持与硅器件相同水平的可靠性。埋入的掺杂栅可维持高电压，并降低器件敏感表面的电场。与传统的解决方案相比，我们的3DSiC®技术可以降低30%的损耗。这得益于较低的肖特基势垒、较高的MOSFET迁移率、高效的集成和较少的降级需求以维持可靠性要求。
不同类型功率半导体的性能比较
与传统的SiC器件相比，3DSiC®技术为功率二极管和开关带来了竞争优势。
坚固性和性能——卓越的器件性能特性，如低阈值电压、浪涌电流和雪崩能力。
低单位成本——降低功耗可使电流密度提高30%，芯片尺寸也相应缩小。
简化生产——制造工艺可用于600 V至+10 kV的宽电压范围，并跨越不同的SiC器件类型，从而实现高效生产和定制化器件规格。
3DSiC®技术采用埋入式掺杂网格，保护芯片敏感表面免受高电场的影响。
3DSiC®技术实现了模块化设计。每个器件被分为与所需电压等级相关的高压部分和用于每种类型元件的低压部分。它允许各种组合，以实现广泛的产品。缩短了开发时间，简化了鉴定过程，并可简化生产。
高意提供先进的碳化硅(SiC)外延材料和定制的特定器件芯片开发和制造，从原型设计到批量生产。
SiC外延材料
高意生产的SiC外延片最大尺寸为150毫米，具有一流的均匀性。提供完整的SiC材料解决方案，规格灵活。
厚外延层有或没有缓冲剂，低掺杂层达250微米
多层结构不同的掺杂水平，包括pn结
工艺外延嵌入式和埋藏式结构，接触层
N型碳化硅
导电 SiC 衬底结合了低电阻率、低缺陷密度、高均匀性、卓越的晶体质量和高导热性，使器件具有低功耗、高频工作和良好的热稳定性。
用于电动和混合动力汽车以及航空航天应用的高温、高频电力电子器件的 MOSFET、IGBT 和其他组件。
半绝缘碳化硅
利用我们的高质量半绝缘 SiC 基板扩大 GaN-on-SiC 射频功率放大器以及其他射频和微波器件的生产。
相干公司率先开发了大直径、半绝缘 SiC 基板，并提供高电阻率材料，以实现低功耗、高频工作和良好热稳定性的组件制造。
资料来源官网
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