9月7日，韩国电工技术研究院（KERI）宣布，他们与匈牙利设备企业SEMILAB签订了"SiC功率半导体离子注入及其评估技术"技术转让协议。
虽然SiC功率半导体有很多优点，但制造工艺也非常具有挑战性。此前，采用一种方法来制造器件，即在高导电性晶圆上形成外延层（单晶半导体薄膜）并使电流流过该区域。然而，在此过程中，外延层的表面变得粗糙，电子传输速度降低。外延片本身的价格也较高，这是量产的一大障碍。
为了解决这个问题，KERI采用了一种将离子注入到没有外延层的半绝缘SiC晶圆中的方法。离子注入使晶圆具有导电性，是为半导体注入生命的工作。
SiC材料很硬，需要非常高能量的离子注入，然后进行高温热处理来激活离子，这使其成为一项难以实施的技术。然而，KERI凭借10年运营SiC专用离子注入设备的经验，成功地掌握了相关技术。
KERI 先进半导体研究中心主任 Kim, Hyoung Woo 博士表示："离子注入技术可以通过增加半导体器件中的电流并取代昂贵的外延晶圆来显着降低工艺成本。这项技术提高了高性能SiC功率半导体的价格竞争力，并对大规模生产做出了巨大贡献。"
该技术最近被转让给位于匈牙利布达佩斯的半导体计量设备公司"SEMILAB ZRT（首席执行官：Tibor Pavelka）"。SEMILAB拥有30年的历史，在匈牙利和美国设有制造工厂。SEMILAB拥有中型精密测量设备和材料表征设备的专利，在半导体电参数评估系统方面拥有全球领先的技术。
他们预测，通过这项技术转让，他们将能够实现高质量 SiC 的标准化。SEMILAB计划利用KERI技术开发专用设备来评估SiC功率半导体的离子注入工艺。SEMILAB韩国公司总裁Park Su-yong表示："通过开发专用设备，我们将能够对SiC晶圆上的注入过程进行在线监控，从而实现即时、准确和低成本的注入生产控制系统和预退火注入的在线监控。" 他补充道："这将为稳定确保高质量离子注入量产工艺奠定良好的基础，并具有出色的均匀性和再现性。"
KERI（韩国电子技术研究院）是科学技术信息通信部 NST（国家科学技术研究委员会）下属的政府资助研究机构。在功率半导体研究领域共拥有120多项知识产权。截至过去10年，KERI功率半导体部门已实现技术转让超过30亿韩元，为韩国最高水平。
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