IGBR 是具有防潮功能的大功率背接触式电阻器,可实现超高额定功率,具有适用于混合组件的微型外壳尺寸。

为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器?

IGBR 电阻器具有高额定功率、单一引线接合组装的特性,外壳尺寸从 0202 到 0808 不等。典型应用于功率转换器(第三代 SiC MOSFET)的栅极电阻器、大功率应用和替代能源等领域。IGBR 是节省电源模块空间的完美部件。
为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器?



1. 通过限制电流影响开关速度


2. 限制栅极驱动路径中的噪声
3. 限制寄生电感和电容
4. 限制对栅极进行充电和放电的电流
5. 限制峰值栅极电流以保护驱动器输出级
6. 耗散栅极回路中的功率
7. 影响开关损耗并防止栅极振荡


深圳市禹龙通电子股份有限公司成立于 2000 年,坐标深圳市南山区,拥有独立自主的厚膜、薄膜生产线。我司 2005 年获得军工武器装备资质,最高可生产宇航标准等级产品;2010 年成为国家高新技术企业,目前主要给 5G 通讯和军工产品作配套。

目前禹龙通生产的 IGBR 主要应用于 SiC MOSFET 模块中,作为栅极电阻起到驱动的作用。当前国内 SiC MOSFET模块基本是都是用国外(美国)威世的电阻,我们可以对其进行国产化替代。

联系方式:

座机:(86)-755-26825723
         (86)-755-26835000
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推荐活动:【邀请函】第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛(11月8日·深圳)

第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛
The 2nd IGBT/SiC Power Semiconductor Devices Industry Forum
11月8日
深圳观澜格兰云天大酒店

主办单位:艾邦智造
媒体支持:艾邦半导体网、锂电产业通、艾邦陶瓷展、智能汽车俱乐部、光伏产业通、艾邦储能与充电、艾邦氢科技网
冠名支持:珠海市硅酷科技有限公司

01

Translation: Conference Topics


序号

Topic

单位

1

电动汽车主驱功率模块的开发与应用

智新半导体 主任工程师 王民

2

基于先进IGBT的可靠性及FA研究

上海陆芯电子

3

基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在新能源市场的应用

基本半导体 业务总监 杨同礼

4

功率模块封装工艺

硅酷科技 高级总监 郑宁

5

IGBT可靠性评估及失效分析

南粤精工 总经理 李嵘峰

6

大功率功率模块散热基板技术

鑫典金 副总 李灿

7

PressFit技术在IGBT模块中的应用

徕木电子 技术总监 王昆

8

SiC芯片技术进展及趋势

拟邀请SiC芯片技术专家

9

碳化硅生长技术浅析与展望

拟邀请碳化硅材料供应商

10

大尺寸碳化硅晶片精密研磨抛光技术

拟邀请碳化硅研磨抛光企业

11

全新一代IGBT设计技术

拟邀请IGBT企业

12

IGBT技术发展情况及市场现状

拟邀请IGBT企业

13

功率半导体模块动静态特性与可靠性测试解决方案

拟邀请测试企业

14

IGBT/DBC 清洗技术

拟邀请清洗材料/设备企业

15

高温高功率IGBT模块封装的技术挑战

拟邀请IGBT企业

16

功率模块模块的自动化生产装备

拟邀请自动化企业

17

超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势

拟邀请超声波焊接企业

18

大功率半导体器件先进封装技术及其应用

拟邀请封装企业

19

功率半导体器件银烧结工艺技术

拟邀请银烧结技术企业

20

高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术

拟邀请陶瓷衬板企业

21

IGBT模块封装材料解决方案

拟邀请封装材料企业


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