近日，CeramTec推出新型高性能氮化铝基板Alunit® AlN HP，与传统基板相比，抗弯强度提高了 40%，并且具有出色的导热性，适用于发电和配电、车辆电气化以及轨道车辆结构中的电源转换器等应用。
由于其高弯曲强度≥ 450 MPa，即使在极端温度循环下，Alunit® AIN HP 也能在导电金属化层和陶瓷基板之间实现永久粘合。热膨胀系数为 3.7 - 5.7 ppm/K（最高 300℃），与半导体材料相近。因此，Alunit® AlN HP 提高了电源模块的连续负载能力。此外，Alunit® AIN HP具有170 W/mK 的高导热率以及 20℃时电绝缘和介电强度≥15 kV/mm，可进行覆铜、覆铝金属化，适用于DCB、AMB工艺。Alunit® AlN HP 是高电压和高性能电源模块的绝佳选择，也适用于高功率 LED 和片式电阻器 - 甚至尤其是在更高电流和更小的组件中。
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