4月12日，株洲中车时代电气股份有限公司发布公告称，其控股子公司株洲中车时代半导体有限公司拟在已经建成 SiC 芯片线的基础上，投资4.616亿元人民币用于建设碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目。
据介绍，该项目建设周期为24个月，建成达产后，将现有平面栅 SiC MOSFET 芯片技术能力提升到满足沟槽栅 SiC MOSFET 芯片研发能力，将现有 4 英寸 SiC 芯片线提升到 6 英寸，将现有4英寸SiC芯片线年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片线25000片/年。
时代电气在碳化硅器件领域已申请多项发明专利及发表多篇论文，完成了第一代技术产品的开发和技术积累，已形成成熟的 SiC 芯片产品"设计-制造-测试-模块"完整能力， SiC 产品在地铁、新能源汽车、光伏等市场领域均已实现应用示范。时代电气有过多条产业化半导体生产线的建设经验，从 4~6 英寸大功率晶闸管生产线至 8 英寸 IGBT 生产线。
时代电气表示，通过本项目实施，形成面向新能源汽车、轨道交通方向的 SiC 芯片量产生产线，并进一步研发高性能的新产品，可以进一步推进中车时代半导体工艺技术进步，提升产业化水平。
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