安徽瑞迪微电子有限公司成立于2019年6月28日,注册资本20372.2233万元人民币。园区占地面积128亩,一期净化间面积8000平方米,坐落于安徽省芜湖市弋江区。

公司专注于IGBT/FRD以及碳化硅MOS/SBD芯片设计、功率模块封装测试及系统应用解决方案。重点布局电动汽车、风电、光伏、储能、充电桩等新能源市场,同时兼顾电能质量及工业控制需求,致力于成长为卓越的国产功率半导体制造商。

项目总投资8亿元人民币:一期投资3亿元人民币,建设高度自动化、智能化的IGBT模块封测生产线,年配套60万台新能源车;二期扩建后年产能可配套200万台新能源车。

主要产品:

IGBT模块

A6系列

产品特性:

  • 沟槽栅-场终止技术
  • 高RBSOA性能
  • 低开关损耗
  • 低导通损耗

典型应用:

  • 电机驱动
  • 乘用车
  • 商用车

M系列

产品特性:

  • 沟槽栅-场终止技术
  • 高RBSOA性能
  • 低开关损耗
  • 低导通损耗

典型应用:

  • 电机驱动
  • 商用车
  • 光伏
  • 大功率变流器

艾邦智造将于2023年11月8日在深圳举办第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛,届时安徽瑞迪微电子有限公司 CTO 温世达 将莅临现场给大家介绍《电动汽车用高察度沟槽栅1G8T芯片技术》,期待大家的与会交流。

嘉宾介绍:

温世达在功率半导体行业有近二十年工作经验,于不同时期曾在国内及国际知名企业从事芯片研发、模块研发及系统应用等工作。现任安徽瑞迪微电子有限公司总工。

演讲大纲:

1、车用IGBT芯片的技术发展趋势

2、高密度沟槽栅IGBT芯片技术

3、瑞迪高密度沟槽栅IGBT芯片介绍

4、应用测试

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By 808, ab

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