共进微封装能力
导读
切割工艺在芯片封装中扮演着不可或缺的重要角色。通过使用精确而稳定的切割工艺，能够确保芯片封装的精度和稳定性，最大程度地释放芯片的性能潜力。同时，这也有助于提高生产效率并降低成本。共进微电子封装产线引入了最先进的切割设备和技术方案，确保为客户提供高品质的封装产品，并通过不断追求技术创新和优化，为客户提供最佳的解决方案。
Blade Saw
激光开槽
激光隐切
激光全切
Blade Saw
Gongjin Microelectronics
共进微电子的Blade saw使用的是Disco DFD6362晶圆切割机，机台主要是用于8/12寸常规晶圆切割。
作业原理： 切割时由主轴带动刀片高速旋转获得高刚性，从而去除材料实现切割。由于刀片具有一定的厚度，因此需要确保划片线宽较大。金刚石划片刀具能够达到的最小切割线宽为25~35um。对于不同材质和厚度的晶圆，需要更换不同的刀具。在旋转砂轮式划片过程中，我们需要使用去离子水对刀片进行冷却，并将切割后产生的硅渣碎屑带走。 制程能力 对于硅晶圆产品的切割，正崩尺寸可小于10um，表面不会有指向有效线路的crack；背崩宽度可小于10um，背面崩碎深度可小于1/5晶圆厚度。机台清洗采用二流体清洗方式，可以保证产品清洗完成后无水气杂质残留。
激光开槽 Gongjin Microelectronics
共进微电子的激光开槽使用的是Disco DFL7161，主要用于Low-k材料的晶圆，改善易脆材料在刀切造成的切割不良，从而提高切割良率。
作业原理 对于Low-K材料，普通的金刚石刀轮难以进行切割。因此，在切割之前需要使用激光技术去除硅晶圆表面的Low-K层，然后再使用刀轮切割硅等衬底材料。激光开槽技术通过光路系统将光斑整形成特定的形状，使激光能够聚焦于材料表面，形成特定的槽型。利用超快激光的极高峰值功率，可以瞬间将Low-K层汽化，减少了热影响区并且没有中间过程。这种方法大大减少了热对材料的影响。 制程能力 最小可支持35um切割道，激光束宽度宽度10um，可保证加工后切割槽宽度和深度均匀，晶圆表面无硅粉，油污沾污，无水汽残留。
激光隐切 Gongjin Microelectronics
共进微电子的激光隐切使用的是DiscoDFL7341，主要用于具有悬膜、悬臂梁、微针、微弹簧等敏感结构类型的芯片。 作业原理 其原理是将波长约1300nm左右的红外线激光聚焦在硅片内部以产生改质层，再借由扩展胶膜等方法将晶圆分成晶粒，以达到低损伤、高精度、高品质切割。该工艺从工件内部改质，因此可以抑制加工屑的产生；切割过程无振动冲击，且采用干式加工工艺，无需清洗；切割道宽度要求低，有助于减小芯片间隔，适用于具有悬膜、悬臂梁、微针、微弹簧等敏感结构类型的芯片。 制程能力 切割道大于30um，支持硅片厚度范围0.1mm-0.7mm，正崩尺寸可小于10um。
激光全切 Gongjin Microelectronics
共进微电子具备玻璃基晶圆的激光切割能力。
作业原理 主要原理是利用激光的高峰值功率、高峰值功率密度，在玻璃内部聚焦，瞬间气化该区域材料产生一个气化带，迅速向上下两表面扩散形成裂孔，产生由无数孔点组成切割截面，再通过外部应力断裂实现切割。 制程能力 可支持10um的超窄切割道产品 ，支持玻璃厚度最大为5mm，切割后崩边尺寸可小于10um。
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共 进 微 电 子 共进微电子技术有限公司由上交所主板上市公司深圳共进电子股份有限公司、探针智能感知基金以及一流的技术和管理团队创立，专注于智能传感器及汽车电子芯片领域的先进封装测试业务。 共进微电子已建设1.8万平米先进的研发中心和生产基地，生产基地包含百级、千级和万级无尘室，建设传感器及汽车电子芯片的封装测试量产生产线。封装产线涵盖从晶圆研磨、切割到前段工艺的固晶、引线键合、点胶、贴盖、回流焊，以及后段工艺的注塑成型、打标、切单。封装能力包括LGA、QFN、Fan-out、SIP和2.5D/3D等多种先进封装类型，测试能力包括晶圆测试、CSP测试和成品级测试能力。共进微电子封装测试产品包括惯性、压力、电磁、环境、声学、光学、射频和微流控等传感器和汽车电子芯片。 公司以满足客户需求为宗旨，制定完整的封装测试方案、流程及品质管控，为客户提供一站式解决方案，打造集研发、工程、批量生产于一体的专业综合封装测试服务平台。共进微电子致力于建设全球知名的规模大、种类齐全、技术先进的传感器及汽车电子芯片封装测试产业基地和领军企业，填补国内相关领域在批量封装、校准和测试领域的空白，突破产业链瓶颈。
原文始发于微信公众号（共进微电子）：封装 | 共进微封装能力之“切割工艺”
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