SiC外延设备厂商芯三代半导体拟IPO上市

近日，海通证券股份有限公司发布关于芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导备案的公告。

公告显示，海通证券已于2024年1月30日与芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司签订上市辅导协议。

芯三代研发的碳化硅外延设备（来源：浑璞投资）

芯三代半导体致力于研发生产半导体相关专业设备，目前聚焦于第三代半导体SiC-CVD装备，倾力为业界提供先进且富有竞争力的量产装备。SiC-CVD设备用于碳化硅衬底上同质单晶薄膜外延层的生长，SiC外延片主要用于制造功率器件如肖特基二极管、IGBT、MOSFET等电子器件。

融资方面，芯三代半导体在此之前共获得5轮融资的助力，其中2021年12月和2023年6月融资金额分别达到超亿元和数千万元人名币。

来源：企查查

据网络消息，2023年3月29号，作为江苏省科技创新企业代表，芯三代亮相央视新闻联播。2023年下半年，芯三代自主研发的8吋垂直气流外延设备已经帮助两家客户顺利完成8吋SiC外延工艺的调试和首批8吋外延片订单交付，从而证明国产外延设备不仅在6吋SiC上已经实现超越，在8吋SiC上也取得突破性进展，尤其在缺陷率指标上更胜一筹。

来源：东方财经网、自动化网

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：SiC外延设备厂商芯三代半导体拟IPO上市