利普思推出全新62mm封装SiC模块产品组合，性能达到业内一流水平。模块采用工业领域大量应用的62mm模块半桥型拓扑设计，使用高品质的成熟芯片，其耐压高、功率密度出众、短路耐量高、温度系数在1.4倍，优于行业水平。62mm封装SiC模块包含1200V和1700V耐压规格，满足大功率应用需求，特别适用于电网、轨交、储能、大电源等应用。
得益于采用业内领先的芯片方案，并运用了低热阻和低杂散封装技术，以及Si3N4 AMB低热阻基板的使用，使得利普思62mm封装SiC产品在功率密度、短路耐流、热阻等能力方面发挥出色，特别是在高结温的工况下，模块导通损耗和开关损耗指标显著优于行业水准。
如上图所示，在客户实际测试和应用中，对比市场主流产品62mm封装SiC模块，在同等Rg条件下，利普思模块在导通、关断、反向恢复等损耗均表现更好，且可以实现更快的开关速度，这一特性为客户的应用和驱动参数的设置上带来了更灵活的选择。
62mm SiC模块 技术优势
- 耐压1200V 1700V可选
- 出众的电流输出能力
- 温度系数指标优于行业水准
- 低损耗，短路耐流能力优异
- Si3N4，低热阻
目前利普思62mm封装SiC模块已经进行上机测试并获得订单，涉及应用包括电网变流器和轨道交通车辆辅助逆变器，下游客户包括国内电网及海外轨道交通企业客户。
利普思一直专注SiC模块以及大功率IGBT模块的研发生产，今年利普思将加大对SiC模块的研发投入，包括2200V碳化硅模块在内的一系列新产品预计也将很快投入市场。
62mm SiC模块 应用领域
- 智能电网
- 轨道交通
- 储能、充电
- 大功率电源
原文始发于微信公众号（利普思半导体）：利普思推出全新62mm封装SiC产品组合
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先进封装设备类似前道晶圆制造设备，供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展，Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例，主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等，因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等，材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展，互通有无，欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。
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