英飞凌推出高密度功率模块，为AI数据中心降本增效；英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务

人工智能（AI）正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOS™ MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU（图形处理器单元）平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。

鉴于AI服务器的能耗比传统服务器高出3倍，而且数据中心的能耗已超过全球能源供应量的 2%，因此需要找到创新的功率解决方案和架构设计来进一步推动低碳化。英飞凌的TDM2254xD双相功率模块结合XDP™控制器技术，具有卓越电气、散热和机械运行性能的高性能计算平台带来高效的电压调节，为绿色AI工厂奠定了基础。

英飞凌在美国国际电力电子应用展览会（APEC）上正式推出TDM2254xD系列。该系列模块设计独到，可通过专为传递电流和热量而优化的新型电感器设计，实现从功率级到散热器的高效热量传递，从而使模块在满载时的效率较行业平均水平高出 2%。提高GPU核心的能效可以实现规模化的显著节能效果。这将为计算生成式AI的数据中心节省数兆瓦的电力，进而减少二氧化碳排放量并在整个系统生命周期内节省数百万美元的运营成本。

点击此处，了解TDM2254xD双相功率模块的更多信息。

英飞凌科技的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP™ 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导体器件与威迈斯的车载充电器实现了高度适配。

CoolSiC™混合分立器件

这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP™ 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC™ 肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC™ 肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了最大程度地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的D²PAK封装的引脚对引脚兼容设计。

采用TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和CoolSiC™ 肖特基二极管G5共同封装的 CoolSiC™混合分立器件现已上市。

更多信息，请点击此处。