博世碳化硅助力小米SU7单电机版400V电压平台

“我觉得小米SU7的产品力足够强大。”

小米集团创始人、董事长兼CEO雷军在小米汽车首款车型SU7的发布会上强调了此款车型强大的产品力，强大的性能是SU7产品力的重要组成部分，也是如今卷之又卷的汽车市场关注的重点之一。

博世秉持着不断创新、质量为王，以卓越的解决方案，成为小米汽车重要的零部件供应商之一。

小米SU7单电机版400V电压平台搭载了联合汽车电子的电桥，其应用了博世第二代750V，6.4毫欧的碳化硅（SiC）芯片产品。

*图片来源于小米汽车官网

对比第一代产品，第二代碳化硅芯片能够实现更高的功率密度和效率，并改进了体二极管以提高开关速度，这意味着在切换速度不变的前提下，减少了50%的dv/dt，实现单位面积Rdson 30%的缩减，Rdsonsp达到140mohm*mm²。这归功于博世专利的沟槽技术，该技术遥遥领先于平面型工艺碳化硅的技术表现，有利于芯片性能表现、产出与成本控制。

此外，第二代750V碳化硅产品支持更高的结温耐受，支持短时在最高200℃的温度下连续运行（生命周期累计不超过100小时），实现车辆短时BOOST模式（超频使用），以及更好的高温性能：

• 100℃Rdson温度系数降低至1.125

• 175℃Rdson温度系数降低至1.45

  - 25℃Rdson@6.4mohm

  -100℃Rdson@7.2mohm

  -175℃Rdson@9.3mohm

参数及优势：

• Rdsonsp 140 mohm*mm²

• 100度Rdson温度系数1.125，175度Rdson温度系数1.45

• 体二极管一致性提高

• 支持200℃高温持续运行（生命周期累计不超过100小时）

• 支持门极负压关断（推荐门极工作电压-5V/18V）

• 通过高于AQG-324可靠性验证标准的博世功率芯片可靠性验证标准

• 通过DGS, DRB 和 D-H3TRB(动态HTGB、动态HTRB、动态H3TRB)可靠性验证

博世在半导体领域，特别是汽车半导体领域耕耘逾50载，碳化硅研发经验更是超过20年。

博世在德国罗伊特林根拥有自己的碳化硅晶圆制造厂，具备研发与生产的能力。可以对来自上下游工艺步骤的反馈做出迅速反应，并持续改善优化工艺质量与产品质量。

同时博世在美国罗斯维尔的工厂预计将于2026年前开始生产碳化硅产品，罗斯维尔工厂的投产将进一步满足全球电车市场对碳化硅的强劲需求。

博世汽车电子将持续发力，在质量上精益求精，引领卓越创新，为更多整车厂提供“产品力”的保证，赋能汽车产业走向未来。