最新消息
模拟优化，减少研究成本，获得预期的温场情况
不断开发新结构、新技术，获得低缺陷单晶
公司开发的8寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8寸加工线也同步建成，将配套8寸单晶生长。通过进一步优化工艺，预期公司的8寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。
原文始发于微信公众号（合肥世纪金芯半导体有限公司）：世纪金芯｜突破8英寸SiC关键技术
应用终端 SIC IGBT模块 SIC模块 碳化硅衬底 IGBT芯片 分立器件 material 焊接材料 真空回流焊炉 烧结银 烧银炉 烧结炉 Ceramic substrate 铜底板 焊接设备 划片机 晶圆贴片机 灌胶机 贴片 表面处理 硅凝胶 环氧树脂 散热器 铝碳化硅 五金 键合机 键合丝 超声焊接机 陶瓷劈刀 激光设备 设备配件 PVD设备 ALD 电子浆料 CVD 导热材料 元器件 密封胶 X-Ray 配件 超声波扫描显微镜 塑胶外壳 玻璃 Plastic 线路板 equipment 散热材料 热敏电阻 点胶机 胶水 自动化设备 运动控制 封装设备 检测设备 认证检测 夹治具 清洗设备 测试设备 磨抛耗材 磨抛设备 代理 贸易 其他
English 
Chinese