这两款产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺，导通电阻极低。此外，L-TOGL™封装采用铜夹片结构，通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比，封装电阻下降大约70%，结壳热阻降低50%。同时，该封装采用鸥翼式引线，可降低安装应力，提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可在大电流时实现设备的低功耗和高散热，满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。
当应用需要更大工作电流时，可以并联MOSFET。在这种并联连接中，并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差，我们支持根据栅极阈值电压分组发货。
本系列目前有四种L-TOGL™封装产品，包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和XPQR3004PB”。
该两款产品可应用于汽车设备当中，包括逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动电路等。产品特性如下：
东芝将提供更多合适的产品，以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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原文始发于微信公众号（东芝半导体）：东芝80V／100V车载N沟道功率MOSFET的产品线扩展，适用大电流、高散热车载应用
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