自2005年布局功率半导体领域以来,比亚迪半导体筚路蓝缕,一步一个脚印,先后在功率芯片发布完全自主研发的2.5代、4.0代、5.0代车用IGBT技术,并于2022年自主研发出最新一代精细化沟槽栅复合场终止IGBT6.0技术,产品性能及可靠性大幅提升,达到国际领先水平。
比亚迪半导体分立器件及功率模块产品类型包括车规模块(Automotive Module)、SiC车规模块(SiC Automotive Module)、工业模块(Industrial Module)、单管(Descrete Devices)、SiC单管(SiC Discrete)、TVS、智能功率模块(IPM)、功率芯片(Power Chip)、SiC/IGBT门极隔离驱动(Isolated Gate Driver for SiC/GBT)、升压型DC/DC控制器(DC/DC Step-up Controller)等,以下将一一介绍各板块产品,欢迎识别以下二维码加入艾邦IGBT/SiC产业链微信群。
比亚迪半导体车规模块产品组合包括平面栅场终止IGBT、高密度沟槽栅场终止IGBT、超级沟槽栅场终止IGBT等技术,拥有多种电路结构、芯片配置、封装结构和电流电压等级,适用于大部分新能源汽车主逆变器应用领域。
产品包括车规模块V-DUAL1、V-215P、V-215、V-315、V-415、DM4.0、V-305、V-SSDC等,均为汽车级产品,符合AQG324测试标准,设计灵活且可定制。
比亚迪半导体SiC车规模块采用自主研发的高密度平面栅SiC Mosfet技术,拥有半桥和全桥两种拓扑结构,基于最新的双面银烧结工艺、氮化硅AMB和分档管控的均流设计,具有高导热、低损耗和高短路能力,在1-30KHz频率的应用中表现出优良的性的,适用于中大型乘用车及商用车的电机控制器。
产品包括SiC车规模块V-SSDC、V-305等。
比亚迪半导体工业模块产品组合包括采用 IGBT4.0、IGBT5.0 和 IGBT6.0 等先进的芯片技术,设计有涵盖多种主流封装,拥有多种电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于大部分工业应用领域。如:光伏/储能逆变器、变频器、变流器、变频家电、逆变焊机、伺服驱动、感应加热、UPS和SVG等。
工业模块产品包括34mm、62mm、genePIM2、genePIM3、genePACK2、genePACK3、miniPIM1、miniPIM2、miniPACK1、miniPACK2、micNPC2、62mmNPC、micMNPC0、micMNPC1、SOT227、V-DUAL1等,都是工业级产品,设计灵活且可定制。
比亚迪半导体单管产品组合包括 IGBT4.0、IGBT5.0、IGBT6.0 和 SiC3.0 等先进的芯片技术,设计有多种主流封装,电压等级有 650V、750V 和 1200V,电流等级从 15A 到 160A,适用于大部分应用领域,如:电动汽车电控、电动车热管理系统、OBC、PFC、光伏/储能逆变器、变频器、变频家电、逆变焊机、伺服驱动等。
产品包括单管TO-220F-3L、TO-247-3L、TO-3PF-3L、TO247plus-3L等有工业级和汽车级产品,高可靠性且可定制。
比亚迪半导体SiC单管采用自主研发的高密度平面栅SiC Mosfet技术和先进的工艺技术,产品的单位面积导通电阻非常低,具有开关速度快、寄生电容小、阻断电压高,开通电阻低等特点。适用于EV充电、DC-AC转换器、高压DC/DC变压器、功率因子矫正模块等。
产品包括SiC单管TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L等,都是汽车级产品,高可靠性且可定制。
比亚迪半导体TVS产品包括BVE3KSMJB28CA、BVE015KSMJB54AH、BVE400SMUC12A这3个型号,脉冲峰值功率400-3000W、工作电压12-54V,可分单双向。
比亚迪半导体IPM是高度集成智能功率模块,配备集成栅极驱动器,广泛应用于消费、工业和汽车等产品领域。产品能满足 50W 至 10KW 的大功率逆变器应用。提供多种拓扑结构选择,并拥有丰富的保护功能。
应用领域:变频家电、商用空调、伺服驱动、步进电机、水泵、风机、电动车热管理系统等。
IGBT4.0 采用平面栅场截止结构,具有成本优、低损耗、高稳定性等优点,性能媲美国际标杆产品;
IGBT5.0 采用高密度沟槽栅,具有低饱和压降、低损耗等优点,广泛应用于汽车、工业、白色家电领域;
IGBT6.0 采用精细化沟槽栅复合场终止技术,电流密度更高,芯片面积更小、性能更优。
特点:低饱和压降、低噪声、高开关频率、高功率密度、高可靠性。
1200V单通道 IGBT&SiC隔离驱动芯片
1200V双通道 IGBT&SiC隔离驱动芯片
比亚迪升压型DC/DC控制器汽车级产品,符合AEC-Q100标准,具有高输入耐压、频率外置可调等特点,内置热关断、短路保护、过压保护等功能,适用于需要低侧 MOSFET 的拓扑,如升压、反激、SEPIC等,广泛应用于汽车电源与电机控制驱动系统领域。
产品包括升压DCDC控制芯片-高效升压DCDC转换器解决方案和升压DCDC控制芯片-宽输入异步升压DCDC解决方案。
升压DCDC控制芯片-宽输入异步升压DCDC转换器解决方案
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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):北京车展 | 比亚迪展出1200V 1040A SiC模块,一文解读比亚迪功率模块手册