扬杰科技/新洁能取得SiC、GaN相关专利

近日，第三代半导体相关厂商扬杰科技和新洁能分别公告了GaN、SiC相关专利。

• 扬杰科技取得GaN MOSFET专利

该专利摘要显示，一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构、涉及功率半导体器件技术领域，尤其涉及一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。提供了一种方便检测，提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层，所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层，所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片制备和封装工艺兼容，制备过程简单易行。

扬杰科技截至目前共公布了7项碳化硅相关专利，具体信息可查看扬杰科技公布六项关于碳化硅功率器件发明专利。

• 新洁能取得SiC SBD专利

据企查查资料显示，5月10日，新洁能取得一项“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”专利，授权公告号CN109037356B，申请日期为2018年10月15日，授权公告日为2024年5月10日。

该专利摘要显示，本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区，条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角；本发明通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区，同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度，大幅增加器件的击穿电压，改善器件的浪涌电流能力。

无锡新洁能成立于2013年，作为为国内MOSFET等半导体功率器件设计领域领军企业，也是国内提前早在12英寸工艺平台实现沟槽型MOSFET、屏蔽栅MOSFET量产的企业。

根据新洁能2023年年报内容，新洁能已开发第三代半导体产品的芯片代工厂，目前 SiC MOSFET 产品和 GaN HEMT 产品均已实现工程产出。

具体在SiC方面，已开发完成 1200V 23mohm~75mohm 和 750V 26 mohmSiC MOSFET 系列产品，新增产品 12 款，相关产品处于小规模销售阶段，同时IGBT 并联 SiC 二极管产品已通过客户验证，开始批量出货。

GaN方面650V/190mohm E-Mode GaN HEMT 产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT 开发完成，新增产品 2 款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN 产品开发中。

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：扬杰科技/新洁能取得SiC、GaN相关专利