汉磊 （3707）董事会10日宣布与 世界先进 （5347）积体电路股份有限公司签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物 半导体 SiC(碳化矽)八吋晶圆的技术研发与生产制造，同时世界先进并策略投资参与汉磊科技公司私募普通股认购，投资金额新台币 24.8 亿元，以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。
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汉磊办理私募增资案，由世界先进认购 50,000 仟股，投资 24.8 亿元，取得13%股权。汉磊将于主管机关核准募资登记后，和世界先进展开合作。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。
依据说明，结合双方的技术优势和市场资源，汉磊及世界先进并将共同进行 SiC 技术研发、市场推广，为客户创造更大的价值；未来双方亦将评估 SiC 技术研发及量产进度，进行更进一步的合作。
此次合作将专注于八吋SiC(碳化矽)半导体晶圆制造的技术开发及未来的量产，由于 SiC 的材料特性可以有效提升能源效率，特别在因应全球暖化的节能减碳趋势下，其应用将普及到电动化车款(xEV)、AI资料中心、绿能储能及工控甚至消费性产品等。
汉磊科技董事长徐建华表示，「汉磊集团旗下的嘉晶电子（3016）与世界先进长期以来即为矽磊晶事业合作伙伴，本次私募引进世界先进成为策略性股东，透过投资结合将使彼此间策略 合作更趋紧密。汉磊与世界先进的合作将在汉磊现有六吋晶圆制造技术及客户的基础上，共同合作进行八吋 SiC 技术平台开发及产能布建，以提供全球 IDM 及 Fabless 客户具有长期竞争力的解决方案。本次策略合作可为世界先进、汉磊及嘉晶电子三方公司创造新的成长动能与合作综效，并为客户及股东权益创造更高价值。」
世界先进公司董事长方略表示，「世界先进公司与汉磊的策略伙伴关系将两家公司的核心资源与优势紧密结合，为双方合作奠定互惠双赢的坚实基础。我们相信，凭借公司领先的特殊 积体电路制造专业，以及汉磊在化合物半导体领域的卓越技术，使公司基于现有的电源管理 IC，分离式元件以及氮化镓外，再导入碳化矽后，更能成为具备完整第三类化合物半导体的八吋 晶圆厂 ，为拓展电源管理产品相关业务市场，提供从低功耗到高功率、从低频到高频操作，更加完整的电源管理技术平台，冀能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。此外，我们也期许透过与汉磊携手研发创新绿能技术，为实现低碳永续的未来尽一份心力。」
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