新洁能增资国硅，加码功率半导体

无锡新洁能股份有限公司拟以自有资金对国硅集成电路技术（无锡）有限公司进行增资，注册资本由 315.7895 万元增加至 631.579 万元，增资后公司持股比例由 5%增至 52.5%。增资后国硅集成电路技术（无锡）有限公司纳入公司 2022 年度合并财务报表范围。

国硅集成电路技术（无锡）有限公司是一家专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计公司，拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术，国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率 IC 芯片核心技术，已形成系列智能功率集成电路芯片，包括：栅极驱动控制 IC 芯片（含 IGBT、硅基 MOSFET 及三代半导体等开关器件的栅极驱动芯片）、电机驱动 IC 芯片（含半桥、H 桥、三相桥）；智能功率 IC 开关（Smart MOS）和功率驱动控制 IC 芯片及模块（DrMOS、IPM 等）系列产品在积极研发中。产 品应用市场已涵盖汽车电子、光伏及储能、数据中心和工业控制等领域。目前，国硅的智能功率集成电路芯片已经在光伏逆变、光伏储能、汽车电子和工业控制等市场成功上量。

本次对国硅进行增资并实现控股，构建了集成电路领域发力平台，不仅新增了 IC 系列产品本身，还能与公司既有 IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT、SGT MOSFET、超结 MOSFET 等芯片集成创新，形成智能功率集成产品。