中国科学院半导体研究所
半导体致冷组（原七组）
彭少近 执笔
本报告记述了中国科学院半导体研究所半导体致冷课题组成立六十年来，从研发到推广应用的艰辛历程。半导体研究所1960年建所之初，就成立了半导体致冷课题组（原七组），当时一共只有七八个科技人员，至1965年，研发人员增至二十多人，经过潜心研究，以Bi2Te3(碲化铋)为基础的半导体致冷材料致冷优值系数，达到当时国际上的最高水平，即组成热电偶最大温差ΔTmax = 80K，并做出我国第一台半导体冰箱。与此同时，将研发成果无偿地推广到十多个工厂及应用领域。到2010年前后，顺应国际国内各行各业的发展及需求，推广到全国几十个厂家（或公司），年产约计六千万块不同型号半导体致冷组件芯片，年产值约几十亿元人民币，其中大部分出口国外，使我国成为全球最大的半导体致冷芯片生产国。
温差电学，是半导体学科中的一个分支。温差电致冷与机械致冷相比，具有无致冷剂、无转动部件、无污染等优点。温差发电可以利用废热与核能源等发电，在空间科学和技术领域有重要的应用前景，所以温差电学的研究一直受到科技界的重视。尤其是20世纪50年代，苏联是全世界温差电领域研究的先驱。1958年我国开始了温差电学的研究。当时，这一工作是在中科院物理所半导体研究室进行的，组长是1955年从美国归来的专家汤定元院士。开始研究ZnSb和PbTe为基的材料，与哈尔滨龙江机电厂合作研制500W温差发电机，一年以后因转换效率太低，转入温差电制冷材料与器件的研究。
图1：半导体制冷原理
如图所示两对N、P型制冷元件，经由导流片（铜片）串联连接，组成一个制冷电堆。当电流从N型制冷元件流向P型制冷元件时，由于电子输运过程能量差产生的帕耳帖效应，在NP界面处有大量电子-空穴对产生，吸收热量，形成冷面；当电流从P型制冷元件流向N型制冷元件时，在PN界面处有大量电子-空穴对复合，放出热量，形成热面。当热面与散热器接触，通过与环境交换热量达到平衡时，冷面将降低到一定温度，此时冷热面形成一定温差。
1960年代初期，半导体致冷组是我国最早研发半导体致冷技术的单位，后来发展到二十来人。组长是殷士端和陈廷杰，下分材料组（组长孔光临）、器件组（组长陈廷杰）和测试组（组长殷士端）。
1960年，在苏联专家指导下，陈廷杰和张韵琴等人建立了热导率测试仪和致冷电偶最大温差ΔTmax测试仪，对以后材料和器件的研究起了很大作用。
1963年，在陈廷杰主持下，致冷组与北京医疗器件厂合作，采用粉末冶金技术研制成功我国第一台50L半导体冰箱，获得国家级三等奖。1964年我组研发的另一台用取向晶体半导体制冷材料制备的电冰箱，获得国家第一届工业新技术、新工艺一等奖。
1963-1965年，在孔光临主持下，采用区熔生长技术，研制了以Bi2Te3基系三元固溶体温差电材料Bi2Te3-Bi2Se3（N型）和Bi2Te3-Sb2Te3（P型）。通过调制组分、熔区宽度、拉速、优化掺杂等，提高了致冷材料的优质，使组成的温差电对的最大温差ΔTmax 达到 80K，为国际最高水平。同时，秦复光、罗赞继以及刘忠佳、冯鸿丙、范缇文等人，用定向冷却法（Bridgman法）生长了同类固溶体材料，研究了其杂质微分凝对致冷性能的影响，这个项目得到了国家级三等奖，以罗赞继、殷士端、阮圣央、唐代维署名的文章经王守武院士、林兰英院士审稿，发表在1966年第9期《物理学报》和《科学通报》上。
1965年后，致冷组为了将科研成果转化为生产力，学习“背篓精神”主动无偿地将温差电致冷材料和器件推广应用到部队、工厂以及医疗等部门，对我国半导体致冷产业的发展起到了重大的推动作用。如显微切片冷冻台、白内障摘除器、皮肤病治疗仪、露点仪、小型致冷控温器、红外探测致冷器、半导体致冷帽、半导体冷阱等都已推广到全国十多个单位应用。
同时，为了把新技术推广到社会中去，对器件工艺技术作了精益求精的研究，将N型和P型元件的端面接触电阻降低到占致冷元件的体电阻的百分之五以内。特别是，秦复光（文革期间器件小组组长）提出了带玻璃管的致冷元件的浸焊方法，对后来推广到工厂的大直径取向晶体的大晶圆片的浸焊技术打下了良好基础。1965年前后，为了适应不同应用要求，对多级致冷器件还作了比较多的研发。
1966年，廖显伯等注意到在致冷晶锭材料垂直区熔过程中，封装材料的“95”料玻璃管壁处于半熔融状态，可通过匀速向下拉制获得小直径的取向晶体，满足了某些应用场合小电流、高电压器件的要求（当时国内还没有内圆切片机能切割小尺寸材料）。此外，为了向工厂推广半导体致冷技术，降低致冷晶体的生长成本及器件制作成本，殷士端、孔光临等对切片机切下来的致冷晶体头尾部分进行回收再利用的研发工作，对N型及P型致冷晶棒头尾废料进行分类，再进行调控掺杂，达到重新应用要求。
1978年，该组的综合研究成果，即半导体温差电致冷材料与器件，荣获全国科学技术大会重大成果奖（见图2）。
图2：重大科技成果奖状
1965年双方洽谈了合作事宜，下半年开始厂里派了一名技术员和三名工人来半导体所实习。我们毫无保留地把半导体制冷整套技术——从烧玻璃管、配料、熔混、区熔拉晶、测试到致冷元件的焊接，致冷器件的制备、器件性能测试，手把手教会他（她）们。这是我所半导体致冷技术推广的第一个厂家。文革期间，我们与该厂合作，使其逐渐走上了正轨，该厂因此改名为天津致冷器厂。
2.为石油勘探部门派学生来半导体所实习提供实习基地。他们设计题目是如何使井下探测石油仪器免受井下高温对仪器性能的影响，两个学生学习了致冷元件焊接以及致冷器件的制备，最后完成了井下探测仪器降温系统的设计。
3.为研发红外探测器单位派出的人员到半导体所学习半导体致冷技术提供技术指导，使他们可以学习致冷元件的焊接技术与工艺以及制作致冷器工艺流程，并为该单位提供了制备红外探测器的致冷技术的学习基地。
（三）半导体致冷技术的某些应用（文化大革命期间到1970年）
1. 为某些电子元器件研制半导体致冷控温、恒温装置
（1）为通讯部门研制多路通讯机调恒温器。在环境从负5℃到正45℃之间变化时，恒温室内稳定于25±0.1℃，致冷器工作电流3安培，耗电5W，转化效率为36%。致冷器热端采用自然对流散热方式散热（相应的散热流面积 约3000cm²）。
（2）为成都研制石英晶体振荡器的某单位研制半导体致冷恒温器。利用致冷器反向电流加热功能（即能致冷又能加热）在环境温度+15℃——-15℃之间，所研发的石英晶体振荡器半导体致冷恒温器的工作室内温度稳定于10℃±0.5℃，耗电30 W，恒温工作室容积为直径Ф50mm，高138mm。
（3）半导体工业中，硅外延生长、砷化镓外延生长以及半导体扩散工艺都需利用冷阱控制SiCl4、BCl3、PoCl3等液态源温度，一种用半导体致冷制备的冷阱半小时可冷却到-18℃。
（4）和某厂研制半导体致冷露点仪，先后研制成功两种类型的露点仪，一种是直接用肉眼观察光学镜面的露点出现时用铜—康铜热电耦测出露点温度。另一种是在圆柱型结露镜面的圆柱外围绕一高频线圈（可加热的）。当半导体致冷镜面结露时，通过硅光电池接收光讯号变弱时，立即启动高频线圈加热使结霜镜面消去露水，这样通过结霜（致冷）、消霜（加热线圈加热）确定露点，69式露点仪就是这个原理，可测到-90℃的露点。
我们在这方面投入的研发时间比较长，投入的人力也比较多，收获也较多，这方面罗赞继、陈廷杰、彭少近、刘昌灵等人做了许多工作，研发了用于病理切片用的快速检测跟踪显微切片的多种半导体致冷切片台、半导体致冷白内障摘除器以及多种多级半导体致冷冷冻治疗仪。我们发扬“背篓”精神到各大医院宣传推广，特别与协和医院、铁路医院、友谊医院等医院协作成绩更为突出。院方积极开发这三方面的研究，门诊接待病人时开始使用冷冻治疗仪。在此期间，半导体所医务室也安置了一台温度达到了-78℃的多级致冷治疗仪。个别医院还按毛主席提出的医疗下农村的“6.26”指示，到内蒙牧区开展半导体致冷白内障治疗工作。
半导体致冷冷冻病理切片技术当年被林巧稚院士赞誉为“百年来病理切片技术的革命”，同期该技术获得卫生部授予的“学习毛主席著作先进单位”的奖状。至今全国医院的病理科普遍开展的冰冻切片快速检验程序，已成为常规病理检查方法，与石蜡切片报告互为补充。
半导体致冷研发技术发展到上世纪六十年中后期，我们的最主要的推广应用成果是在医疗卫生部门方面的应用，这是最具社会影响力和最大社会化效益的一项成果。
（四）总结研发半导体致冷材料和器件的制备工艺技术，编纂推广应用资料结集成书
经过前些年半导体致冷技术推广及应用，由罗赞继、彭少近执笔，把前十年研发成果进行总结，汇成一本实用性、操作性很强的书籍《半导体致冷——器件制造及其某些应用》，1970年共印刷3000册。
二、半导体致冷技术继续推广发展阶段（1970-1985年前后）
从1970起至改革开放初期，我们主要做了如下几个方面的工作，使我国半导体致冷技术推广应用得以更好地发展。
（一）给各个省市图书馆邮寄《半导体致冷——器件制造及其某些应用》一书。同时，也给许多知名大学邮寄此书，使各行各业的技术员、工程师、工人以及在读大学生，到图书馆看书、查资料时可以接触到半导体致冷技术。
1. 1971年，罗赞继调到青海无线电一厂，推广七组半导体致冷技术成果，白内障摘除器、病理切片冷冻器、皮肤病冷冻治疗机、冰帽等均通过产品鉴定投入量产，供应全囯许多医院使用。该厂还研发了半导体冰毯创新产品，在高海拔3000米以上的青海高原海西州医院，成功实施了7例心脏直视手术；1975年该厂与上海新华医院合作研制成功全身半导体降温升温机，开展儿童低温麻醉手术，通过上海市新产品鉴定，上海市和青海省分别颁给重大科技成果二等奖。青海省无线电一厂的BL系列半导体致冷医疗器械获1978年全国科学大会奖。
2. 推广到北京厂桥空调设备厂（与清华热能系合作）
3. 由《半导体致冷——器件制造及其某些应用》这本书建立起来的半导体致冷器厂。1975年之前，三天两头都有许多单位（包括外省市）派人到我所了解半导体致冷技术并购买此书。由于此书材料及器件制备工艺很详细，还有许多应用例子。有些单位的人员回去后就建起厂来了。如湖南津市无线电工厂、沈阳晶体管厂、774厂、哈尔滨晶体管厂等，厂里工人都说“是天书，有问题一翻书就知道”。
4. 1976年9月9日毛主席逝世，国人万分悲痛。为了9月底国家党政军领导人、外国使节政要、国家各级机关负责人、劳模等人前来瞻仰主席遗容，需要为水晶棺内提供低温环境。我们组织成四人小组受科技处委派到某厂当技术顾问，参加致冷材料制备，元器件的焊接（同时还有厂桥空调设备厂的技术人员一起），通过两个多星期的努力工作，加班加点食宿在某厂，保证了这项光荣而艰巨任务的顺利完成。
5. 改革开放后，我们继续和天津制冷器厂合作，组里不定期地派人去制冷器厂指导材料器件工艺，逐步提高产量及质量。特别是用区熔方法拉制致冷晶棒材料工艺——致冷材料优值系数，保持原半导体研发时的水平，同时晶棒尺寸（包括直径、长度）保持最佳水平，又能量产最大。（此后大发展时期许多厂都依此工艺来发展起来。）随着改革开放，国内外交流，半导体致冷器件工艺也进入陶瓷板型结构工艺。通过天冷厂提供几个厂家陶瓷基板，我们通过测量导热性能，提出既能成本低、导热性能堪忧的九六瓷做制冷器的陶瓷基板。从此天冷厂逐渐进入与国际接轨的陶瓷板型的机械强度好，致冷性能优良的行列，产品销往世界各地。
6. 为了更好推广半导体致冷技术及其应用，陈廷杰、彭少近、程文超编写了《半导体致冷原理》、《半导体温差电致冷国际动态》、《半导体致冷的某些应用》三篇讲稿，以天津制冷器厂为依托，以天津致冷器厂的业务厂长为首组织到全国五大城市（北京、南京、上海、杭州、广州）组织讲座。从1985年下半年至年底完成讲座，这对推广半导体致冷知识，应用前景都起到积极效果。
7. 为了更好便利用户使用半导体致冷片（致冷器）。在1985年前后在四机部标准化所组织领导下，我们与电子部天津1418所共同参与编写半导体致冷技术名词、术语和致冷器型号等，为与国际接轨参考国外公司技术用语及型号，经过几次会议讨论，最后编制完名词术语，部颁标准。这样，我国就有了陶瓷板型半导体致冷组件的各种型号，为用户提供设计方便。生产制冷器厂家可以依标准规范的型号生产多种型号半导体致冷芯片。
8. 通过六十年代将致冷技术推广到天津致冷器件厂，至今已有多年的技术合作，以及改革开放后新的厂领导得力的领导，使天津致冷器厂在全国几家致冷器厂中是实力最棒的专业厂以及标杆厂。1984年召开第一次半导体致冷会议，就是在天津致冷器厂的组织下在天津召开，影响很大，反响很大，许多参加会议单位科技人员会议期间都到厂里参观。会后，原来只搞温差发电的能源所也抽出部分人搞致冷开发。
通过这些年多方面的努力，使半导体致冷技术进一步大发展打下很好的基础。
三、半导体致冷技术全面推广发展阶段（1988年——今天）
（一）从1978年改革开放伊始至1988年也走过十几个年头，各行各业与世界各国相对应的行业逐渐接轨，也打下了一定基础，为进一步大发展做好前期准备。1988年我们原致冷组（老七组）也抽出部分科技人员（6个人）全身心投入改革开放大潮中，成立了半导体致冷开发小组，并立刻投入进一步促进半导体致冷技术的发展的工作中。新的致冷组长是陈廷杰和彭少近，组员有张韵琴、唐代维、郑秉茹、李瑞云等。
1. 继续全方位与天冷厂密切合作，在林兰英所长和王启明所长以及科技处开发处的领导、组织和见证下成立津科公司。成立津科公司主要任务是，由我们协助天津致冷器厂提高致冷晶体材料的性能及产量，改进致冷组件生产工艺水平及产量。我们不定期派人去天冷厂指导材料、组件工艺中出现的问题，利用半导体所的致冷晶棒性能检测设备，使厂里的晶棒材料在最佳直径条件下，晶棒装料量从原来不足1公斤大大提高到1.5公斤。提高了生产效率，节约了原材料并降低了成本。组件工艺中原来晶片浸焊工艺中不易掌握好的浸焊工艺，我们提出电镀镍工艺，解决了浸焊工艺的不足，并提出半自动装晶粒模具，提高了焊接组件的效率。通过双方几年的共同努力，到1993年天津致冷厂成为国内实力最强的半导体致冷大厂，产品销往欧美、澳大利亚、东南亚诸多国家，当年被评为国家优秀二级企业，厂领导到人大会堂接受江主席的接见，并见报《天津日报》头条。我们所也荣获天津市科技协作一等奖，同时荣获中科院科技进步奖（见图3）。（后来许多新厂或公司的成立及发展都依托于我们和天冷厂合作的技术成果。）
（1）1988年夏，在所主管开发的副所长及科技处领导和组织下与日本富士高株式会社合作，在秦皇岛建立了半导体制冷厂，名为富连京电子有限公司。通过几任厂长、经理的努力，现如今每年生产约各种型号200万片半导体致冷芯片，主要销往日本。
（2）和河北宇翔电子有限公司合作，我们不定期到该公司指导，包括晶体材料生长过程中出现的问题，以及组件焊接中出现的问题。后期，我们在二次产品开发中所需的致冷组件由该公司提供。
（3）无偿地把半导体致冷技术推广到福州半导体所。我们6人次在1989年至1990年期间，用一个多月时间把材料工艺、测试方法和致冷组件焊接技术无偿转让给福州半导体研究所。
（4）把与国际接轨的陶瓷板型半导体致冷技术推广到湖南津市无线电三厂。1989年夏至年底，我们3人次到该厂传授陶瓷板型半导体致冷芯片技术并进行材料、器件相关基本理论知识讲座。通过多年的努力，该厂以湖南津市为基地，深圳为窗口，逐渐成为国内石油检测仪最强的专业厂。
（5）1989年、1992年、1996年先后在珠海开发区、江苏太仓开发区、广东汕头昇平区开发区推广了全套（含仪器、设备制造、工艺）半导体致冷技术，建立了生产线，产品都达到出口西欧的标准。
（1）生物物理所和我们共同研制“液闪仪”（一种为研究古生物年代的仪器），我们负责半导体致冷部分，代替国外所采用半导体致冷核心部件——一种大致冷量负温达到-20℃的部件。半导体致冷器采用强迫通风散热方式。
（2）为本所微波研究室研制“毫米波（耿氏）器振荡器半导体恒温仪”（微缩板）。十几年后，通讯技术大发展才有大量通讯基站大量用上半导体致冷芯片做恒温微波源。
（3）为空间探测单位研制多级致冷器。按要求在零下四十度时，致冷器冷端面几瓦级的微波源仍能正常工作，这是一项代替国外进口的产品工作。
（4）为光电工艺中心研制激光管芯工艺线上用的恒温仪（共二台）。这恒温仪重点是：激光管芯经过恒温室检测时，保证管芯处于干燥气氛下。为保恒温干燥气氛，通干氮气流量必须有较大气流量。这对半导体致冷量及控温要求相对较高。
（5）与某专业学科科学院合作，研发微光功率的检测系统。(研制费用较高项目)用半导体微型组件作为微光功率的检测探头。我们设计了当时天冷厂所能制作最小尺寸的微型致冷元件，由所里制作微型组件。（包括设计瓷片大小、导流条大小、模具……）最后从众多微型元件中（0.4*0.4*2mm3）挑选合格的元件制作完成微型组件。
（6）半导体致冷冰点仪——利用波纹管伸缩性作触点开关的原理完成。在本所光电二极管生产线上试用。
（7）为我们所几个研究室和清华大学某研究单位制作小型恒温槽，用于光刻、显影等方面。
（8）1997年前后研制成功“半导体致冷组件性能快速检测仪”（见图4）。该仪器是基于哈尔曼原理，只需通小电流（百mA级），用12秒左右（可设定）的时间测出致冷组件的最大温差△Tmax、电流电压等多个参数。推广多个厂家，都很受欢迎。
图4：半导体致冷组件性能计算机机檢测仪（适应各种组件）
4. 新材料研发工作也投入一定的人力物力，主要着力于国际上在四元系致冷材料上作进一步探索。与原来我们推广的三元系材料性能上没有什么差异，也可作推广厂参考选用。
半导体致冷技术不仅在高科技方面应用，如红外激光通讯、计算机CPU、星载和机载高速（CCD）摄像机，微波通讯也用上半导体致冷组件芯片；在工业、农业、石化、生化、医疗等各种冷阱、恒温控温低温槽、低温箱等都使用半导体致冷芯片。但更多是与民生方面相关的技术产品，才更有更广阔的发展空间和应用前景。
下面就改革开放以来特别是近二十多年来发展比较好、潜力比较大的一些大公司大厂如：广东富信科技股份有限公司、香河华北致冷设备有限公司、香河东方电子有限公司、秦皇岛富连京电子有限公司、河北宇翔电子有限公司（对外叫中天电子）、河南鸿昌电子有限公司、泉州依科达半导体致冷科技有限公司、湖南津市石油化工仪器有限公司、深圳市湘津石仪器有限公司、浙江常山康京电子有限公司、杭州大和热电有限公司（日资）、东莞市卓勤电子有限公司、苏州冰雪电子有限公司、昆晶冷片（深圳）电子有限公司、上海聚邦电子科技有限公司、鹏南电子科技(厦门)有限公司、北京惠茂制冷设备有限公司等，其中有的公司规模达到年产百万块以上各种不同型号的制冷芯片，有的年产千万块以上，这些公司总规模达到年产约计六千万块不同型号半导体致冷组件芯片，年产值约几十亿人民币。
综上所述，我国已成为全球最大半导体致冷芯片产业国。
（1）这些年半导体致冷技术随着通讯系统的发展，也和通讯行业结合得更紧密，特别华为、中兴等行业巨头。通讯从2G到4G走了二十年，到2018年4G微波通讯基站全世界总计几百万台，我国占很大部分。今年我国进入5G时代，年底要完成五万台通讯基站。每个基站都需要半导体致冷芯片（从个位到十位数不等的芯片，视微波元件功率而定），这些年已有许多企业的半导体致冷芯片用到华为和中兴的通讯基站上，如华冷、富信、东方电子、秦皇岛富连京、东莞卓勤电子等。其中，华冷还为某国提供了为数不少的基站核心部件。
（2）最大量半导体致冷芯片还是用于民生相关领域（如汽车、宾馆、医疗、除湿、美容、药品保障），因此升值不高。
（3）芯片出口占比较大，但因厂家比较多，竞争激烈，价值也很低，如常用的最常规的TEC1-127系列，十几年前几十到上百元一块，现在价格降低一个数量级，出口就更低，因此利润不高，所以还应该用自己的芯片开发更多的二次产品，经济效益才能更高。
（4）随着我国半导体制冷产业规模的扩大，与此同时也推动了我国制冷行业科研机构的蓬勃发展，现在全国已有几十个科研机构，并与产业部门紧密结合。从2014年以后，我国每年召开一次热电及其应用的会议，每届参会人员达到400多人，参会人数与其他相关的半导体行业会议相比排在前列。2000年以后，国际热电会议在中国召开了3次（2001年在北京、2008年在上海、2016年在武汉），说明我国半导体制冷热电材料及应用行业欣欣向荣，蓬勃发展。
（5）我国半导体制冷热电材料及应用在某些方面与国际相比还存在差距，如材料精细加工、芯片加工中的精细焊接材料及工艺。另外在某些特殊应用方面，要求材料具备更好的性能及组件（特别微小型芯片）的高可靠性和长寿命方面，还是有差距的！
半导体致冷组（原七组）从上世纪60年代初开始研发和推广半导体致冷技术以来，一直与天津致冷器厂等单位合作，致力于把这一技术成果推广到更广阔的应用空间。特别是改革开放以后，以国内外各行各业的发展需求和市场为导向，将我国打造成为全球最大致冷芯片生产国，并带动相关各行各业的产业链的发展，如原材料、电子元器件、化工、塑料等行业。以上成果是半导体致冷组（原七组）全体同仁向半导体所建所六十周年、中华人民共和国建国七十周年献出的微薄之礼。
附件1：各种半导体致冷应用整机
附件2：各种型号半导体致冷组件（多级、大电流、小电流、微型）
附件3：部分产品（限于篇幅，仅列了个别公司和厂家的产品）
《半导体学报》简介：
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。2020年，JOS被EI收录。
“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：
《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：jos@semi.ac.cn，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。
JOSarXiv预发布平台简介：
半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。
JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！
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原文始发于微信公众号（半导体学报）：我国半导体致冷芯片从零发展到世界最大产业国的历史回顾
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