对比看出，S1M014120H可以在更大的栅极驱动电压范围内工作，以适应不同驱动电路的开发需求。其最高允许工作结温为175℃，进一步提升器件的载流能力，有助于实现更高的功率密度，其静态参数达到国际一流水平。
同时，清纯半导体与国内领先的功率模块供应商紧密合作，根据新能源汽车电驱动系统的具体需求(1200V/800A)，对采用S1M014120H和国际主流厂家同规格SiC芯片制造的多芯片并联功率模块在常温及高温的开关性能做了详细表征，采用S1M014120H制造的模块的常温和高温情况下关断和导通特性如下图所示：
原文始发于微信公众号（清纯半导体）：国内最低导通电阻SiC MOSFET通过车企和Tier1厂商测试
应用终端 SIC IGBT模块 SIC模块 碳化硅衬底 IGBT芯片 分立器件 material 焊接材料 真空回流焊炉 烧结银 烧银炉 烧结炉 Ceramic substrate 铜底板 焊接设备 划片机 晶圆贴片机 灌胶机 贴片 表面处理 硅凝胶 环氧树脂 散热器 铝碳化硅 五金 键合机 键合丝 超声焊接机 陶瓷劈刀 激光设备 设备配件 PVD设备 ALD 电子浆料 CVD 导热材料 元器件 密封胶 X-Ray 配件 超声波扫描显微镜 塑胶外壳 玻璃 Plastic 线路板 equipment 散热材料 热敏电阻 点胶机 胶水 自动化设备 运动控制 封装设备 检测设备 认证检测 夹治具 清洗设备 测试设备 磨抛耗材 磨抛设备 代理 贸易 其他
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