国星光电完善第三代半导体功率产品布局

80%以上的电力电子元器件失效的根本原因是“热问题”，热管理在了解热的来源、去向、热传导的途径等方面起着重要作用。

目前，行业大多数的热管理手段仍停留在传统的验证方式。国星光电主动采用数字化工具，通过利用热管理的数字化迭代验证方式，建立模型和验证仿真，在产品研发设计阶段进行数据化和虚拟化研发，全面优化模块设计，同时保证封装可靠性，顺利打破传统科学研究的“实验试错”模式。

如国星光电在焊线工艺精益设计角度展开研究，对于导热系数或温升不同的情况下，研究不同应力效果作用在焊线的影响，最终选择最优的打线方式，以此形成工艺要求与标准。

目前，国星光电已成功将热管理的数字化迭代验证方式应用于芯片位置分布的热管理分析、共晶焊接空洞优化、新品开发的PDCA验证等环节，并实现快速定位热点，可提前发现可靠性失效问题，降低方案调整成本，提高效率，并实现多学科指引设计开发人员优化设计。

第三代半导体是国星光电前瞻布局的重要方向之一。近年来，国星光电积极拓展第三代半导体新赛道，为加快实现公司在半导体领域补链强链，经过持续的技术创新和潜心研发，在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。