钱塘科创中心自主完成高导热金刚石复合晶圆可控制备

8月，钱塘科技创新中心自主完成了高导热金刚石复合晶圆的可控制备。

中心科研团队大胆创新，采用分阶段机械减薄工艺，初步实现高导热金刚石复合晶圆可靠薄化，极大降低功率器件内部热阻、导通阻抗以及导通损。

▲超薄Si基金刚石复合晶圆

经测试，复合晶圆金刚石实现高质量生长，金刚石薄膜整体结晶度和质量较高，具备良好导热性能，金刚石薄膜厚度和晶粒尺寸均可根据需求任意调控，可支持小批量科研定制。

▲金刚石薄膜SEM形貌图和拉曼光谱图

高导热金刚石复合晶圆作为芯片热管理领域关键材料，能够在“高热”大功率芯片中实现近乎完美的热耗散，解决目前高功率芯片“自热效应”热瓶颈问题，将推动第三代半导体高功率器件高速发展和广泛应用。

原文始发于微信公众号（杭州钱塘科学城）：创新喜报！钱塘科创中心自主完成高导热金刚石复合晶圆可控制备

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