图案化(patterning)工艺,即在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工。随着集成电路微缩化不断发展,芯片制程不断提升,特别是制程进入10nm级别,图案化的技术精密程度直接影响到集成电路的工艺节点的演进,因此是半导体制造过程中最重要工序之一。这其中,包括了沉积涂布显影刻蚀清洗等四个关键处理过程。TEL是全球唯一一家提供上述半导体图案化加工中必不可少的四道关键制程设备的公司。接下来,就让我们来认识这些拥有独具一格的性能优势的TEL“明星”吧 。

0
1
沉积
使用氧化、CVD或ALD等方法,将氧化硅膜、氮化硅膜等堆积在洁净的晶圆表面,形成薄膜。

 

 

热处理炉管设备TELINDY™系列 

·批量式生产
·ALD工艺可兼顾较高的台阶覆盖率和生产率
·干式清洁技术有效降低微小颗粒
·通过实时调整装载区N2流量和提升产量,单片晶圆的能耗大幅降低31%(与SEMI S23标准相比)
 

 
单片成膜设备Triase+™系列 

·在高深宽比的接触孔内,可实现高台阶覆盖

·利用ASFD工艺,在低温下实现高品质和高台阶覆盖的薄膜形成
·低温低损的等离子工艺,采用高密度低电子温度的等离子
 

 

原子层沉积设备NT333™系列
 

·单个晶圆处理平台具有同时搭载五至六枚晶圆的容量,旋转一周完成一个ALD工艺周期
·控制原子级的薄膜厚度
·采用独特的等离子保护结构,在不损伤高速旋转地平台上的晶圆的同时,实现高均一性的膜质
 

 
 

涂布·显影
0
2
涂布,是将光刻胶均匀地薄薄地涂在高速旋转晶圆表面的过程。

显影,是在经过曝光设备的UV光照后,使用显影液对经过曝光的光刻胶进行溶解,将掩模版的图案保留在晶圆上。

 

 
涂胶显影设备LITHIUS™系列 

·全新的低颗粒搬送方式

·工艺灵活性大,支持包括EUV在内的各种先进光刻工艺
·实现高产量、低占地面积、OEE提升以及CoC的降低
 
 
0
3
刻蚀
使用等离子刻蚀设备,根据显影于光刻胶上的图案,蚀刻掉已成膜的氧化硅和氮化硅。

 

 

等离子刻蚀设备Episode™ UL系 

·根据工厂布局要求,灵活调节4至12个腔室
·腔室的水平相对设计,极大减少了洁净室和公用设施区域内每个腔室的占地面积
·独创的智能工具,可实现自主过程控制
 

 
等离子刻蚀设备Tactras™ 

·可同时搭载多达6个工艺腔室和后处理腔室,根据需要处理不同的蚀刻应用

·降低设备与设备间、腔室与腔室间偏差的实用设计
·颗粒减少技术
 
 
清洗
0
4
该步骤可以除去刻蚀后多余的光刻胶。使用清洗设备将晶圆浸于药液中,洗去杂质

 

单晶圆清洗设备CELLESTA™系

 

·根据工厂布局要求,灵活调节4至12个腔室

·每小时可处理多达1000枚晶圆

·全新的雾化喷嘴,实现无损物理清洗
·独创清洗干燥技术,防止图案塌陷和水印残留
·可独立控制每个腔室中的工艺环境

更多产品信息,请访问https://www.tel.com/product/
 

 

 作为一家先进半导体制造设备生产商,

提供多样技术和独创方案,

一如既往持续贡献社会。

 

 

一颗芯片的制造工艺非常复杂,需经过几千道工序,加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群:

长按识别二维码关注公众号,点击下方菜单栏左侧“微信群”,申请加入群聊

By d

en_USEnglish