纳微半导体发布全球首份 GaN 可持续发展报告

2月10日，氮化镓 (GaN) 功率 IC 的行业领导者纳微半导体（Navitas）发布了其第一份年度可持续发展报告。2021 年可持续发展报告不仅详细说明了企业减少自身温室气体排放的目标和进展，还重点介绍了其GaN 技术如何通过减少 Navitas 客户的二氧化碳排放量，并加速从化石燃料到可再生能源和电力的应用的发展来支持全球碳排放净零目标。

每个出货的清洁、绿色 GaN 功率 IC 可减少 4 kg CO2。GaN 可减少高达 2.6 吨/年CO2 的排放量- 相当于 650 个燃煤发电站的排放量

Navitas 是第一家发布可持续发展报告的公司，该报告根据全球标准全面量化了 GaN 功率半导体对气候变化的积极影响。该报告包括根据评估产品生命周期内环境影响的国际标准 ISO14040 / 14044 对 GaN 技术进行的第三方生命周期评估 (LCA)，从原材料采购到生产、使用、报废处理、回收和最终处置。Navitas 报告还通过第三方评估量化了企业温室气体 (GHG) 的影响。

金属镓是冶炼铝时的副产品，而氮在我们的大气中很容易获得，因此 GaN 具有最小的材料来源 CO2 足迹，易于采购且成本低。GaN 也是无毒且无冲突矿物问题的。虽然 GaN 是一种先进的"宽带隙"半导体材料，但 GaN 功率 IC 器件可以使用成熟且可用的 CMOS 加工设备 (350nm) 制造。因此，与传统的硅功率器件相比，GaN 器件生产对于给定的设备组产生产量提高了 3-5 倍。

作为下一代功率半导体，GaN 的运行速度比传统硅快 20 倍，在尺寸和重量减半的情况下，功率提高 3 倍，充电速度提高 3 倍。Navitas 的 GaNFast ™ 功率 IC 集成了 GaN 功率和驱动以及保护和控制，以提供简单、小型、快速和高效的性能。由于先进的材料性能和 Navitas 专有的 AllGaN 工艺设计套件，GaN 功率 IC 比硅芯片小得多，并且制造和运输的二氧化碳排放量降低了 4~10 倍。

与硅系统相比，使用 GaN 功率 IC 的高效、高速应用更小、更轻、使用更少的材料和更少的能源。例如，使用 GaN 的 65W 笔记本电脑适配器的占位面积减少高达 30%，每个出货的 GaN IC 可减少超过 4 公斤的二氧化碳排放量。在数据中心，GaN 有可能通过提高效率每年减少超过 1000 万吨的二氧化碳排放量。

当考虑将 GaN 用于车载充电器、DC-DC 转换器和牵引驱动等 EV 应用时，据估计，从硅到氮化镓可以将全球从内燃机到电动汽车的过渡加快3年，并将道路部门的总排放量每年减少20%。该报告还解释了GaN IC如何降低太阳能应用中每瓦能量转换和存储的成本，以支持降低高达 25%——缩短投资回报期并加速采用。

Navitas 首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示："我们的使命是成为下一代功率半导体的领导者，并在我们与其他人合作以'使我们的世界电气化'的同时，为减少化石燃料排放做出贡献。我们为移动、消费、工业、计算、通信和运输等各个主要细分市场的电力和减排做出贡献，并努力成为提高电气化和能源效率的关键推动者，以实现《巴黎协定》中强调的净零排放目标。"