世界先进存储技术的领导者三星电子宣布已开始批量生产业界最高比特密度的1tb (Tb)三层存储单元(TLC)的第8代垂直闪存 (V-NAND)。1Tb的新V-NAND还具有迄今为止最高的存储容量，在全球下一代企业服务器系统中支持更大的存储空间。
三星电子闪存产品与技术执行副总裁SungHoi Hur表示："由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的V-NAND层数，三星采用了先进的3D缩放技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在缩放时发生的单元间干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。"
通过显著提高每个晶圆的比特生产率，三星能够达到业界最高的比特密度。三星电子的第8代V-NAND基于最新的NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，其输入和输出(I/O)速度最高可达2.4千兆每秒(Gbps)，比上一代提高了1.2倍。这将使新的V-NAND能够适应PCIe 4.0以及之后的PCIe 5.0的性能要求。
第8代V-NAND有望成为存储配置的基石，帮助扩大下一代企业服务器的存储容量，同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。
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