随着芯片技术研发难度的增加,Chiplet的标准越来越受到全球芯片行业的关注,Chiplet技术的趋势将为加快中国芯片技术的发展提供支撑,有助于中国芯片缩短与海外芯片技术的差距。

Chiplet技术更有利于缩短中国芯片与海外的芯片技术差距

在过去,芯片技术的竞争是芯片技术竞争的关键。但在3nm技术的今天,芯片技术的研发遇到了困难,仅靠芯片技术的研发很难持续提升芯片的性能。

TSMC 2020年量产5nm。原本TSMC预计2021年量产3nm,延续之前芯片制造工艺研发的迭代时间。然而事与愿违,3nm工艺直到今年才研发成功。但在3nm工艺研发成功后,苹果指出3nm工艺达不到预期性能,成本增加太大,导致苹果放弃3nm工艺,采用5nm工艺改进的4nm工艺。

3nm R&D的电阻证明摩尔定律真的无法继续,3nm工艺无法成功量产,所以2024年能否量产也值得怀疑。之前1-2年海外芯片技术升级第一代芯片制造工艺的路线已经中断。

芯片制造工艺升级步伐被打乱,实际上对中国芯片有利,为中国进一步缩短与海外国家的芯片技术水平提供了时间和空间。近年来,中国一直在通过各种方式积极尝试摆脱芯片制造工艺的限制,努力提升芯片性能。

中国仍在努力发展先进技术。据说,SMIC正在推动芯片制造工艺向7纳米工艺演进。一旦7nm工艺量产,TSMC等芯片制造企业在先进技术的研发过程中受阻,中国与海外芯片制造工艺的差距将会缩短。

除了缩短芯片制造技术的差距,中国还在发展芯片堆叠和Chiplet技术,以提高芯片性能。芯片堆叠技术是将两个14nm工艺生产的芯片堆叠在一起,以获得更强的性能,从而获得接近7nm工艺的性能。这项技术应用在手机上有发热过大的问题,但对于电脑、AI等行业已经不是问题了。TSMC为一家英国制造商生产了类似的芯片。将两个7nm芯片封装在一起,性能可以提升40%,甚至超过5nm芯片,证明了其可行性。

芯片技术是另一种提高芯片性能的技术。通过将不同工艺、不同性能的芯片封装在一起,可以缩短各种芯片之间的通信时间,提高整体性能。比如通过封装内存芯片,GPU,CPU,AI芯片等。,整体性能可以大大提高。在这方面,中国也出台了自己的Chiplet技术标准。

在封装技术方面,我国已经具备了封装4nm芯片的技术,甚至有国内封装芯片企业连续几年获得AMD的先进芯片封装订单,证明我国在芯片封装技术上已经达到世界一流水平,这将有助于我国大幅缩短与海外芯片的性能差距,满足国内制造业对先进芯片的需求。

Chiplet技术更有利于缩短中国芯片与海外的芯片技术差距

可以预计,随着海外芯片产业在先进芯片制造技术上遭遇障碍,芯片性能的提升转向芯片封装技术,中国与海外芯片在先进芯片技术上的差距将继续缩短,海外芯片技术对中国芯片发展的影响将越来越小,中国芯片技术局限性的影响将越来越小,他们制约中国芯片技术发展的难度将越来越大。

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先进封装设备类似前道晶圆制造设备,供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展,Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例,主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等,因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等,材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展,互通有无,欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。

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