第三代半导体功率器件供应商派恩杰半导体完成数亿元A轮融资

派恩杰半导体成立于2018年9月，公司拥有比肩国际领先水平的SiC器件设计及工艺技术，创始人黄兴博士师承IGBT发明人B. Jayant Baliga及晶闸管发明人 Alex Huang，深耕功率器件领域10余年，研发了多款高压碳化硅产品，拥有多项发明专利。

图片来源：派恩杰半导体

目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车，IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为Tier 1厂商持续稳定供货。截至目前，派恩杰已导入碳化硅功率MOS器件客户60余家，量产交付产品80余款，因可靠稳定的芯片质量受到全球范围内投资方和客户的广泛青睐。

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2022年是全球功率芯片行业严重缺货且在政策上充满了挑战的一年，依靠自身优秀先进的研发技术以及稳定可靠的供应链支持，派恩杰半导体在过去一年逆势走强，收到数亿元订单，碳化硅MOSFET实际出货超3.6kk，无一例失效。其中仅车规级功率MOS芯片就斩获过半亿销售额，成功占领国内外市场的国产化空缺。

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派恩杰半导体自成立以来，牢牢把握市场机遇，填补国内技术空白，赋能行业高速发展，依靠过硬的研发实力进一步提高我国在第三代半导体领域的竞争力。此次，欣柯资本参与派恩杰半导体的A轮融资，更加完善了我们在半导体领域的投资版图，期待与派恩杰共同见证未来。