文丨火炬电子 知识产权与政策研究中心

 

导电胶粘接片式多层瓷介电容器探讨

随着电子产品向小型化、便携化发展,器件集成度不断提高,I/O引脚数进一步增多、引线间距进一步缩小,Sn/Pb共熔合金焊料已经不足以满足微电子组装和封装技术发展的需要。近来,导电胶在集成电路、混合集成电路、多芯片模块(MCM)、电子组件等粘接互连方面得到广泛的应用。目前市场上哪些片式多层瓷介电容器的端头类型适用导电胶进行粘接呢?

导电胶粘接片式多层瓷介电容器探讨

Sn或SnPb端头的片式多层瓷介电容器因何不推荐使用导电胶进行粘接?主要基于以下4个原因:

1
导电胶容易吸水,会导致Sn或SnPb端头中金属Sn氧化,这将大幅增加电容器的端头与导电胶之间的接触电阻,进而产生热量。
2
在温度循环下,Sn或SnPb端头电极与导电胶结合处由于两种材料的热膨胀系数及热导的差异而产生细微裂纹, 这将明显降低电容器的粘合强度,在遇到较大的机械应力时,有可能会造成电容器脱落。
3
Sn或SnPb端头电极与导电胶中含有的银粒子(Ag)具有不同电极电势,这两种金属接触在含有水汽环境下会发生电偶腐蚀,在粘接界面上形成一层薄的金属氧化物。这一层薄氧化物的电阻远远高于Sn或SnPb金属材料本身的电阻,引起电容器的端头与导电胶之间的接触电阻大幅增加,随着板级的进一步老化试验,粘接界面的接触电阻会显著上升,同时也会降低电容器与电路基板的粘合强度。
4
导电胶中含有的银粒子(Ag)在潮湿环境和外加电场下易发生迁移的问题。使用Sn基端头无法减缓银迁移,而使用AgPd、AgPdCu、Pd、Au端头可以有效减缓银迁移。

 

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原文始发于微信公众号(火炬电子):导电胶粘接片式多层瓷介电容器探讨

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