中电科二所碳化硅芯片研制成功

2月24日，中国电子科技集团公司第二研究所（以下简称“中国电科二所”）传来喜讯，碳化硅芯片生产成功！

图源自山西经济网

碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，可有效突破传统硅基材料的物理极限，广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域，是我国重点发展的战略性先进半导体，对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。

2021年9月，中国电科二所接到6英寸碳化硅芯片整线系统集成研发任务，该项目要求四个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试，并流出第一片芯片。

最终在配套设备到位的30日内，完成了单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度创造了国内第一！

中国电科二所工作人员表示，接下来，他们将进一步优化设计和工艺流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指标、提高良品率，实现规模化生产。

中电科二所碳化硅芯片研制成功

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原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：中电科二所碳化硅芯片研制成功

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