台湾新竹—2023 年4 月6 日—先进特殊应用集成电路 (ASIC) 领导厂商创意电子 (GUC) 宣布,已顺利流片 8.6Gbps HBM3 控制器和物理层以及GLink 2.3LL的测试芯片,将可运用在人工智能 (AI)、高效能运算 (HPC)/xPU及网络应用。GLink 2.3LL 晶粒对晶粒接口提供业界一流的规格,包括 5Tbps/mm 晶粒边缘效率 (2.5T 全双工流量),功耗仅0.27pJ/bit,端对端延迟时间更只有 5ns。测试芯片则采用台积电 3 纳米制程流片,并以台积电 CoWoS-R 技术封装。

创意电子已完成台积电 7 纳米及5 纳米的 HBM3 控制器和物理层 IP ,并支持 CoWoS-S 及 CoWoS-R。这些 IP 均使用 SK 海力士以及三星的 HBM3 内存进行验证。创意电子的 HBM3 IP在随机存取下,带宽使用率可超过 90%。

GLink 2.3LL 支持台积电 InFO_oS 以及 CoWoS-S/R,并通过台积电 5 纳米制程节点的验证。为便于使用 GLink 2.3LL 实体接口,创意电子提供可配置参数的 AXI、CXS 及 CHI 总线网桥。GLink 2.3LL 的 I/O 具备高串扰容忍度,因此可使用 CoWoS/InFO 非屏蔽式布线,有效地将中介层或 RDL 的信号传输线数量扩增为两倍。

HBM 与 GLink 已和 proteanTecs 互连监控解决方案整合,不但能就物理层的测试与特性分析提供高可透视性,还可透过可观测其现场效能与可靠性的特性,增进最终产品的效能。此次的 3 纳米流片,意味着我们能以 7 纳米、5纳米和 3 纳米供应 GLink/HBM IP 产品组合,且已获得众多 AI、HPC和网络客户导入其产品。

创意电子总经理戴尚义博士表示:「本公司很荣幸能率先全球采用 3 纳米制程技术流片 8.6Gbps HBM3 控制器和物理层 IP,以及效率最高的晶粒对晶粒接口 GLink 2.3LL。我们现已建立完备的 2.5D/3D 小芯片 IP 产品组合,可采用最小达 3 纳米的先进技术。连同我们在 CoWoS、InFO及 SoIC 设计、封装设计、电气和热模拟、DFT 以及生产测试等领域的专业能力,我们绝对有能力为客户提供最先进的解决方案,协助客户缔造更丰硕的产品和业绩。

创意电子技术长 Igor Elkanovich 则表示:「我们持续致力推出业界一流的晶粒对晶粒接口,以期推动小芯片革新。我们的 IP 遍及所有台积电的先进制程及3DFabric技术。2.5D 与 3D 封装现在都趋向使用 HBM3、GLink-2.5D/UCIe 及 GLink-3D 接口,这会有助日后研发出高度模块化、以小芯片为基础且远大于光罩尺寸的新一代处理器。

创意电子 HBM 及 GLink-2.5D IP 重要特色创意电子采用台积电先进封装技术完成 3 纳米 8.6Gbps HBM3 与 5Tbps/mm GLink-2.5D IP流片

原文始发于微信公众号(创意电子GUC):创意电子采用台积电先进封装技术完成 3 纳米 8.6Gbps HBM3 与 5Tbps/mm GLink-2.5D IP流片

先进封装设备类似前道晶圆制造设备,供应商受益先进封测产业增长。随着先进封装的发展,Bumping(凸块)、Flip(倒装) 、TSV 和 RDL(重布线)等新的连接形式所需要用到的设备也越先进。以长球凸点为例,主要的工艺流程为预清洗、UBM、淀积、光刻、焊料 电镀、去胶、刻蚀、清洗、检测等,因此所需要的设备包括清洗机、PVD 设备、光刻机、 刻蚀机、电镀设备、清洗机等,材料需要包括光刻胶、显影剂、刻蚀液、清洗液等。为促进行业发展,互通有无,欢迎芯片设计、晶圆制造、装备、材料等产业链上下游加入艾邦半导体先进封装产业链交流群。
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